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选修电子控制技术第三章第3节走进数字电路
（第3课时）
延迟福
【任务三】认识常用的数字集成电路
门电路是用晶体三极管或MOS管（金属氧化物半导体场效应管）构成的电路，现在都已集成化，是一种数字集成电路。在数字电路中，用电平的高和低来代表逻辑1和逻辑0。
1、电阻和开关构成的数字电路
开关 U0 F
打开 高电平 1
闭合 低电平 0
2、晶体三极管非门电路
A 三极管 F
0 截止 1
1 饱和 0
【马上行动】P62
1.将输入端接地,用多用电表测量电阻Rc两端的电压Ur= v V,此时晶体三极管集电极的电流Ic (填“很大”或“很小”)，三极管处于 （填“导通”或“截止”）状态；三极管集电极c与发射极e之间的电压Uce= V,属于 （填“高”或“低”电平）
2.将输入端接入3V电压,用多用电表测量电阻Rc两端的电压Ur= V,此时晶体三极管集电极的电流Ic (填“很大”或“很小”)，三极管处于 （填“导通”或“截止”）状态；三极管集电极c与发射极e之间的电压Uce= V,属于 （填“高”或“低”电平）
3.根据测出的电压关系，判断该电路的逻辑功能。
3、MOS管简介
如图3-53所示是它的电路符号。它和晶体三极管一样也有三个极∶源极S、栅极G和漏极D。这三个极和晶体三极管的各电极的对应关系是∶
源极相当于发射极，通常接地；
漏极相当于集电极，通常通过电阻接电源；
栅极相当于基极，用来控制漏极电流的大小。
4、数字集成电路的类型
TTL（晶体管-晶体管逻辑）电路是用普通晶体三极管构成的集成电路，与CMOS相比，其运行速度较快，允许负载流过的电流较大，但消耗功率较大。
CMOS（互补MOS电路）电路是用MOS管构成的集成电路，在工作时消耗的功率最低，但工作速度较TTL的低，允许负载流过的电流较TTL的小。
CMOS器件与TIL器件的逻辑电平和电路的输出能力不一样，因此两种类型的集成电路通常不能在同一个电路中使用，如需同时使用，要在它们之间加上电平转换电路。
CMOS器件比较容易损坏，使用时要注意保护，如电源的极性不能接反，并做好防静电处理等。
分类 TTL CMOS
工作电源 Vcc=5V Vdd=3-18v
正极及接地名称 正极：Vcc 负极：GND 正极：Vdd 负极：Vss
输入电压 高：2.4-5V 低：0-0.8V 高：3-5V 低：0-2V
特点 运行速度快，允许流过负载电流大，功耗大，集成度低 运行速度慢，允许流过负载电流小，功耗小，集成度高
多余管脚 多余管脚（输入） 与周围管脚短接、或与正极或负极相连（不能影响原逻辑） 多余管脚（输出） 悬空 输入不能悬空，与非门接Vcc,或非门接地，输出悬空
数字集成逻辑门引脚识别
1.集成逻辑门引脚判断规律
如图所示的集成逻辑门引脚图，图上有一个半圆凹槽。管脚朝下，半圆凹槽向上，则半圆凹槽左侧第1个引脚为引脚1，按逆时针方向依次增加。此规律可推广至大部分芯片，对于芯片上有半圆凹槽、整圆凹槽、小圆点等标志的芯片同样适用。若半圆凹槽、整圆凹槽都存在，则以半圆凹槽为主。
2.部分常用集成逻辑门引脚图
【练习】1关于TTL和CMOS集成电路的描述，下列说法中不正确的是（ ）
A.TTL集成电路由三极管构成，运行速度快
B.CMOS集成电路由MOS管构成，运行速度慢
C.相对CMOS而言，TTL集成电路消耗功率大
D.TTL与CMOS集成电路不可以用在同意数字电路中
D
2.如图所示是CC4001集成芯片引脚图，该芯片名称是（ ）
A.四2输入或非门
B.双4输入或非门
C.四2输入与非门
D.双4输入与非门
A
3.如图所示的电路，下列分析中不正确的是（ ）
A.S1接地，S2接电源，LED发光
B.S1接地，S2接地，LED不发光
C.S1接地，S2接地，LED发光
D.S1接电源，S2接电源，LED发光
D
谢谢！

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