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(共13张PPT)
准平衡
2023/3/9
2
准平衡
非平衡载流子的区间
不讨论
2023/3/9
3
准平衡
2023/3/9
4
有光照时
2023/3/9
5
晶格弛豫
（<10-10s）
复合
（～μs）
2023/3/9
6
电子子系统与晶格平衡
空穴子系统与晶格平衡
但电子子系统和空穴子系统不平衡
“准平衡”
偏离热平衡的程度
非平衡时：
2023/3/9
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对于n型半导体，小注入时
2023/3/9
8
复合的分类
按复合过程：
直接复合
间接复合
按复合位置：
体内复合
表面复合
按能量交换方式：
辐射复合
非辐射复合
发射声子
俄歇复合
（发光）
深能级的间接复合往往是决定材料寿命的主要过程
2023/3/9
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电子在导带和价带之间的直接跃迁
是动态的，统计的
单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数
2023/3/9
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非简并时，r只与T有关，而与n、p无关
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11
2023/3/9
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影响τ的因素
多子浓度
复合几率r
非平衡载流子浓度
（一般地说，禁带宽带越小，直接复合的几率越大。）
得到的寿命值比实验结果大的多。这说明对于硅、锗寿命还不是由直接复合过程所决定，一定有另外的复合机构起着主要作用，决定着材料的寿命，这就是间接复合。

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