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连续性方程的应用
2023/3/9
连续性方程的应用
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均匀掺杂：
均匀电场：
稳态：
内部没有其它产生：gp=0
连续性方程的应用
a. 光激发的载流子衰减
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（没有电场）
（体内均匀产生非平衡载流子）
（t=0时刻，光照停止）
连续性方程的应用
b. 瞬时光脉冲
4
（没有电场）
（脉冲已停止）
连续性方程的应用
c. 瞬时电脉冲
5
（有均匀电场）
（电脉冲已停止）
连续性方程的应用
d. 光照恒定，稳态
6
（有均匀电场）
（体内没有光照）
(稳态)
连续性方程的应用
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连续性方程的应用
e. 稳态下的表面复合
8
（没有电场）
(稳态)
连续性方程的应用
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例1
p型半导体掺杂NA=1016/cm3，少子寿命为10us。在均匀光照下，产生非平衡载流子，其产生率为1018/cm3S。求室温时光照下的EF并和原来无光照时的EF比较(ni=1010/cm3)。
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例2
设NA=1015/cm3的p-Si， ni=1.5×1010cm-3。若载流子注入在正x区域内产生的非平衡电子浓度为 n(x)=1017exp(-2000x)。求空穴浓度p(x)，并计算在x=0处电子浓度与空穴浓度的比值n/p，说明是小注入还是大注入。
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例3
一均匀n-Si，如图左半部用稳定光照射，均匀产生电子空穴对，产生率为g，若样品足够长，求稳态时样品两边的空穴浓度分布。
边界处向右扩散
x
p(x)
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例4
一非均匀半导体p0如图所示。
(1)求无外电场时，Jp(x)的表达式并画曲线。
(2)若要使净空穴电流为零，求所需内电场的表达式并画曲线。
样品
P(x)
P(0)
p0
0 w x
(3)若p(0)/p0=103，求x=0和x=w之间的电位差。
(已知：Dp、 p、 、p0为平衡浓度，w为样品厚度，室温下)
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