资源简介

(共13张PPT)
理想p-n结的电流电压关系
2023/3/10
2
理想p-n结的电流电压关系
讨论：
2.强烈依赖于温度
p-n结有电阻，电流越大，焦耳热越多，温度越高，电流更大，——形成正反馈，器件烧坏。
2023/3/10
3
影响理想p-n结J-V关系的因素
势垒区的产生-复合电流
表面效应
大注入的情况
串联电阻效应
（自学）
2023/3/10
4
影响理想p-n结J-V关系的因素
复合电流（正向偏压）
2023/3/10
5
影响理想p-n结J-V关系的因素
2023/3/10
6
影响理想p-n结J-V关系的因素
m=1，扩散电流为主；m=2，复合电流为主。
扩散电流与复合电流之比和ni及外加电压V有关。
低正向电压下，复合电流占主要地位；
较高正向偏压下，复合电流可以忽略。
2023/3/10
7
影响理想p-n结J-V关系的因素
产生电流（反向偏压）
2023/3/10
8
影响理想p-n结J-V关系的因素
讨论：
Js与反向偏压无关，而JG随反向偏压增加而增加。
禁带宽度小的半导体，反向漏电流增加显著。
温度升高，反向漏电流增加。
少子寿命越小，反向漏电流越大。
2023/3/10
9
影响理想p-n结J-V关系的因素
大注入（正向偏压大）
VJ
VP
2023/3/10
10
影响理想p-n结J-V关系的因素
2023/3/10
11
影响理想p-n结J-V关系的因素
2023/3/10
12
影响理想p-n结J-V关系的因素
总结
复合电流
扩散电流
大注入
串联电阻效应
产生电流
2023/3/10
13
例题
例1. Si p-n结参数如下：ND=1016cm-3，NA=5×1018cm-3，p-n结截面积A=0.01cm2， n= p =1us，设结两边的宽度远大于各自少子的扩散长度，求室温时正向电流I为1mA时的外加电压。设p区 n=500cm2/(V·s)， n区 p =180cm2/(V·s)。

展开更多......

收起↑