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(共13张PPT)
p-n结的载流子分布
2023/3/10
重庆邮电大学微电子教学部
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p-n结的载流子分布
考虑p区边界处，x=-xp，电势为零
2023/3/10
重庆邮电大学微电子教学部
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p-n结的载流子分布
考虑n区边界处，x=xn
2023/3/10
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6.1.5 p-n结的载流子分布
通常n(x)和p(x)很小，远小于nn0和pp0，可忽略，故称该区域为耗尽区。
2023/3/10
重庆邮电大学微电子教学部
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p-n结的载流子分布
势垒区的载流子浓度指数衰减，则其中的电导率很低，电阻率很高。
当存在外间电压时，电压主要降落在这个势垒区，而扩散区和中性区几乎没有。
2023/3/10
重庆邮电大学微电子教学部
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p-n结电场和电势
泊松方程
何为泊松方程 其来历
反映一定区域电势、电场、电荷之关系。
由麦克斯韦方程的微分形式：
——泊松方程
2023/3/10
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a.突变结p+-n
2023/3/10
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电场分布
2023/3/10
重庆邮电大学微电子教学部
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讨论：
电场符号为“-”。
（因为定义的坐标系是p→n，而内建电场的方向却是N区→ P区，所以方向相反。）
电场线性变化。
当x=-xp或x=xn时，Emin=0。
当x=0时，Emax，存在极值。
耗尽区主要在轻掺杂一侧。
（电位移矢量在x=0处连续）
2023/3/10
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电势分布
2023/3/10
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讨论：
在x=-xp处， V存在极小值，曲线上弯。
或x=xn处，V存在极大值，曲线下弯。
曲线由两段抛物线组成。
在x=0处，V连续。
1.单边突变结的VD随低掺杂一侧的杂质浓度的增加而升高。
2.单边突变结的XD随轻掺杂一侧的杂质浓度增加而下降。
2023/3/10
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b.线性缓变结
以x=0处，V=0进行积分计算
2023/3/10
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势垒宽度
注意：
突变结的XD与VD的平方根成正比。
线性缓变结的XD与VD的立方根成正比。

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