资源简介 (共12张PPT)p-n结及其能带图2023/3/112p-n结引言若在同一半导体内部,一边是p型,一边是n型,则由于在p型区和n型区交界面附近形成所谓的pn结。它是许多重要半导体器件的核心。pn结的行为不是简单等价于一块p型半导体和n型半导体串联。这种结构具有特殊的性质:单向导电性。 其单向导电性和在其界面附近形成的势垒密切联系。因此这一节的讨论从pn结的势垒开始,然后介绍电流电压特性、电容效应以及击穿特性等。2023/3/113引言6.1 p-n结及其能带图6.2 p-n结电流电压特性6.3 p-n结电容6.4 p-n结击穿6.5 p-n结隧道效应2023/3/114p-n结及其能带图p-n结的形成及杂质分布p型半导体和n型半导体结合,在二者的交界面形成的接触结构,就称为p–n结。pn结实际上是一种非均匀半导体。在§5. 6中,关于非均匀半导体的讨论同样具有启发性。在任何非均匀半导体中,热平衡时必具有统一的费米能级,即各处费米能级在同一水平上。对于pn结来说,也是成立的。2023/3/115合金法扩散法加热溶解突变结线性缓变结扩散炉2023/3/116还有离子注入法等。一般认为合金结和高表面浓度的浅扩散结是突变结(两边杂质均匀分布),而低表面浓度的深扩散结是线性缓变结(从p区到n区,杂质浓度逐渐变化)。在施主区和受主区的分界线处xj,称为结深。2023/3/117空间电荷区空间电荷区:2023/3/118平衡p-n结能带图考虑费米能级当漂移和扩散达到动态平衡后,空间电荷的数量一定,空间电荷区不再继续扩展,保持一定的宽度。此时,内建电场E也一定,一般称这种情况为热平衡状态下的p–n结,简称为平衡p–n结。(统一的)—自建电场E→静电势能V(x)→Ec(x)=Ec0+(-q)V(x)2023/3/119平衡p-n结能带图在平衡pn结中,费米能级处处相等2023/3/1110平衡p-n结能带图电子从费米能级高处(n区)向费米能级低处(p区)流动,EFn下移。空穴从费米能级低处(p区)向费米能级高处(n区)流动, EFp上移。平衡时达到统一费米能级 EF。电势从n→p逐渐下降,则电势能(-q)V(x)逐渐上升,所以带边逐渐上移,直到和p区统一。2023/3/1111p-n结接触电势差沿电场方向电势降低电势V(x)曲线,取p区电势为0,则n区为VD——接触电势差。电势能-qV(x)曲线,对电子,p区电势能为0 > -qVD(n区),形成电子势垒、空穴势阱。2023/3/1112p-n结接触电势差注意:1.接触电势差与pn结两边的掺杂浓度、温度和材料的禁带宽度有关。300K时,ND=1015cm-3,NA=1017cm-3,Si:0.7V;Ge:0.32V2.针对非简并半导体而言。 展开更多...... 收起↑ 资源预览