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自由电子近似
自由电子近似
磁场中电子朗道能级在晶体周期势场的作用下扩展为朗道能带
8.5 磁场诱导的金属--绝缘体相变
1994年，Wang、Clark等人在二维电子体系中，实验发现的磁致金属绝缘体相变
朗道能级和近自由电子近似的弱场适用性
回旋共振
德.哈斯-范.阿尔芬效应
不很强的磁场在Hofstadter蝴蝶上处于很接近于零的地方，能带在这样不很强的磁场作用下分裂为很多个子带
该二维电子体系的电阻率随温度的变化规律，随磁感应强度大小的不同而不同，图8.2中的磁感应强度，由上而下分别为0，0.1，0.5，1.0，1.5，1.75，2.15，2.75，3.25T。当磁感应强度较小时，电阻率随温度增大而减小，为绝缘体；当磁感应强度增大、超过一定阈值时，电阻率随温度增大而增大，表现为导体。系统随着磁感应强度的增大，由绝缘体相变为导体，称为磁致金属绝缘体相变
8.6 磁泡材料
磁泡：磁性薄膜中观察到的圆柱形磁畴
磁畴：磁化的小区域
8.6.1 磁泡的形成
利用液相外延方法在【1 1 1】方向生长的磁性石榴石单晶薄膜，具有单轴磁晶各向异性，其易磁化垂直于膜面。这种单晶膜很薄，只有几微米厚，对可见光是透明的
利用投射偏光显微镜可以很清晰地观察到薄膜中的磁畴图形。在未加外磁场时，薄膜中的磁畴呈迷宫状，有一些明暗相间的条状畴构成，两者的面积大体相等。
明畴中的磁化方向是垂直于膜面向下的
暗畴中的磁化方向是垂直于膜面向上的
如果在垂直于膜面向下的方向加一外磁场
则外磁场会引起薄膜中磁畴图形的变化。在磁泡技术中，这一外磁场称为偏磁场，随着偏磁场的增大，明畴的面积逐渐增大，暗畴额面积逐渐减小，其中部分暗畴变成一段一段的“段畴”
有时为了形成更多的段畴，需加脉冲磁场对条状畴进行切割。当偏磁场增加到某一值时，段畴缩成圆形的磁畴
8.6.2 磁泡的应用
磁泡存储器：容量大，速度快，集成度高，可靠性高，可长期保存，功耗小
航天，武器控制系统

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