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电场的效应
在电场不太弱时，非平衡少子的漂移和扩散同时进行，非平衡少子连续性方程为
稳态时Δp的分布情况，有
当电场很强，以致于扩散可以忽略时，有
Le为空穴在复合前因漂移运动而深入到样品内的平均距离，称为牵引长度。是在寿命时间里，非平衡空穴在电场作用下漂移的距离。
电场的效应
一维稳定漂移情况下，
非平衡少子的连续性方程
(7.57)
即有
于是求得常数A，B分别为：
于是非平衡空穴在样品中的分布为
此时，扩散流密度为
即，扩散流密度=平均浓度梯度×扩散系数
在晶体管中，基区宽度一般比少子的扩散长度小得多，注入少子在基区中的扩散长度，满足上述模型( ).
金属探针注入非平衡少子，在探针附近少子扩散具有球对称性。设探针尖端为半径r0的半球面，此时扩散为三维扩散，因而,扩散流密度矢量为
，
单位时间单位体积内积累的空穴数为
稳定时，它应等于空穴的复合率，即
径向扩散情况下，
非平衡少子的连续性方程
所以
即
解得
在边界处向半导体内部扩散的流密度为
这种扩散的效率比平面注入的效率高，多一项DpΔp0/r0
当r0<空穴的扩散速度=Dp/Lp，空穴的漂移速度= μpε，由二者相等可定义一临界电场εc，即
若二者都不能忽略(稳态)时，连续性方程为：
一元二阶常微分方程，其特解为：
满足边界条件的解应具有从注入点起,随距离增加而衰减的性质.
①对于x≥0的半无限样品，必取λ>0的解，即λ1.
a、当ε>0时,即电场对空穴的作用是把它们由注入点x=0处扫向样品内部(x>0),此时Le>0.
b、当ε<0时,Le<0,此时电场的作用是将空穴由样品内部扫向注入点.
Ld为空穴的顺流扩散长度;Lu为空穴的逆流扩散长度。显然Ld>Lu.因此,方程的解为
②对于x≤0的半无限样品，必取λ2<0的解.
因此，方程的解为
例：x=0处，光照维持样品的中点(x=0)处非平衡载流子浓度Δp0不变。由下图可见,在注入点右边,少子空穴为顺流扩散；在注入点左边,少子空穴为逆流扩散.
0
两边扩散对称
① ε<< εc时，扩散主要,漂移影响可忽略,扩散几乎对称;
② ε>> εc时,漂移运动很显著,逆流扩散很弱,顺流扩散至很远处.
由前面的分析,得

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