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半导体中电子的运动、有效质量
半导体中电子的速度
对惯性质量为m0、速度为vx的一维自由电子，其动量px 和能
量E存在以下关系：
而由德布罗意假设，表征波动性的量与表征粒子性的量之间存
在以下关系：
因此：
半导体中电子的运动、有效质量
不难看出：
半导体中电子的加速度
引进有效质量的概念后，电子在外电场作用下的表现和自由电子相似，都符合牛顿第二定律描述。
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半导体中电子的运动、有效质量
半导体中E(k)与k的关系
要掌握能带结构，必须确定E-k的关系（色散关系）
半导体中起作用的常常是接近于能带底部或顶部的电子，因此只要掌握这些能带极值附近的色散关系即可。
假设E(0)为带顶或带底，将E(k)在 k=0附近展成泰勒级数：
由（3）式可以见到：
(a) 对于能带顶的情形，由于E(k)(b) 对于能带底的情形，由于E(k)> E(0),故mn*>0.
mn*：电子有效质量
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N型硅的回旋共振实验结果解释
沿k3轴的有效质量，称为纵向有效质量，即
于是，该椭球的等能面方程为：
对其他五个椭球面也可以写出类似的方程。
如果k1，k2轴选取恰当，可使计算简单。选取k1使B位于k1轴和k3轴所组
成的平面内，且与k3轴交角为θ，则在这个坐标系里，B的方向余弦为：
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N型硅的回旋共振实验结果解释
可得到：
代入
因此，只要找出磁场B与6个<100>方向(6个椭球长轴方向)的夹角，即可找到吸收峰的个数。

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