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半导体的晶体结构和结合性质
半导体的晶体结构和结合性质按组成分：无机半导体：元素、化合物有机半导体按结构分:晶体：单晶体、多晶体非晶、无定形半导体材料包含元素半导体、化合物半导体及固溶体半导体。
(1)元素半导体晶体
Si、Ge、Se 等元素
CdS、CdTe、CdSe、
ZnS
化合物
半导体
Ⅲ-Ⅴ族
Ⅱ-Ⅵ族
金
属氧化物
Ⅳ-Ⅵ族
Ⅴ-Ⅵ族
Ⅳ-Ⅳ族
InP、GaN、GaAs、InSb、InAs
SiC
GeS、SnTe、GeSe、PbS、PbTe
AsSe3、AsTe3、AsS3、SbS3
CuO2、ZnO、SnO2
(2)化合物半导体及固溶体半导体
1.1.1金刚石结构与共价键★以Si、Ge为代表的元素半导体电子组态- 4个价电子, sp3杂化轨道晶格结构-金刚石结构(正四面体结构)结合性质–共价键(饱和性,方向性)★晶格常数a Si: a=0.543nm, Ge: a=0.566nm GaAs: a=0.564nm金刚石型结构的晶胞1.1.1金刚石型结构与共价键1.1.1金刚石结构与共价键正四面体结构金刚石型结构（111）面的堆积1.1.1金刚石结构与共价键 堆积顺序：ABCABC晶胞在(100)面上的投影1.1.1金刚石结构与共价键 ★ 以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物
电子组态- 平均价电子数=4 (4个共价键)
晶格结构- 闪锌矿结构
(4个最近邻为异类原子)
结合性质– 混合键
(以sp3杂化轨道为基础, 四面体键, 具有一定的离子键成分)
1.1.2 闪锌矿型结构与混合键
1.1.2闪锌矿型结构与混合键思考:左图的一个晶胞包含几个原子 几个第III族原子 几个第V族原子

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