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pn结的基本结构
pn结的基本结构
冶金结＿P区和n区的交界面
突变结　线性缓变结　超突变结
突变结＿均匀分布，交界处突变
pn结的基本结构
空间电荷区＝耗尽区（没有可自由移动的净电荷，高阻区）
PN结的形成
pn结能带图
内建电势差
本章开始Nd,Na分别指n区和p区内的净施主和受主杂质！！！
7.2零偏　　　　　　7.2.2电场强度
半导体内的电场由泊松方程确定：
电场表达式：
电荷密度
耗尽近似：
7.2零偏　　　　　 7.2.2电场强度
对n区和p区电场函数积分可得相应的电势表达式：
7.2零偏　　　 7.2.3空间电荷区宽度
n区和p区的空间电荷区宽度：
7.3反偏 7.3.1空间电荷区宽度与电场
反偏 与内建电场方向相同
EF不再统一
7.3反偏 7.3.1空间电荷区宽度与电场
V=Vbi+VR
7.3反偏 7.3.1空间电荷区宽度与电场
X=0处
7.3反偏 　　　　 7.3.2结电容
势垒电容
单位面积电容
7.3反偏 　　　　 7.3.2结电容
势垒电容
7.3反偏 　　　7.3.3单边突变结
Na>>Nd时，这种结称为P+n结。
空间电荷区宽度：
7.3反偏 　　　　7.3.3单边突变结
7.4非均匀掺杂pn结
线形缓变结　x=x’处
a为净杂质浓度梯度；
7.4非均匀掺杂pn结
线形缓变结
7.4非均匀掺杂pn结
超突变结
X>0处的归一化n型掺杂浓度为：
线形缓变结　
超突变结　
外延（内重掺杂，外轻掺杂）　
均匀掺杂结
7.4非均匀掺杂pn结
超突变结的电容表达式
势垒电容很大程度上取决于反偏电压的大小。
超突变结的应用举例：LC电路
LC电路的共振频率：
电路应用中要求fr是反偏电压的线性函数，则：
7.5小结
均匀掺杂pn结。
空间电荷区。
空间电荷区内的电场。
空间电荷区内的电势差。
外加偏置条件下空间电荷区宽度、内建电势差、势垒电容、场强的变化。
线性缓变结的电场、内建电势差、势垒电容的表达式。
特定的掺杂曲线可以用来实现特定的电容特性
END
掌握复习题1-10的内容；
掌握pn结中内建电势差、电场强度、空间电荷区宽度、势垒电容的推导；

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