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MOS结构中对应载流子积累
．绘出在偏压条件下MOS结构中对应载流子积累、耗尽以及强反型的能带和电荷分布的示意图，采用N型衬底并忽略表面态和功函数的影响。
解：N型衬底
MOS结构中对应载流子积累
（2）载流子耗尽层
S
（1）载流子积累
M
能带
（3）载流子强反型
6-2．推导出体电荷、表面电势以及表面电场的表达式，说明在强反型时他们如何依赖于衬底的掺杂浓度 。在 至 范围内画出体电荷、表面电势及电场与 的关系。
解：1）
强反型时：
得
可得
2）
3）由泊松方程：
，可得
表面电场：
6-4．采用叠加法证明当氧化层中电荷分布为 时，相应的平带电压变化可用下式表示：
解：如右图所示，为消除半导体内因氧化层电荷所引起的能带弯曲，则应加 <0，使电力线全部被吸收到金属侧而不进入半导体内。
分析： 处电荷 的影响
0
由
积分：
6-6．利用习题6-4中的结果对下列情形进行比较。
(a) 在MOS结构的氧化层中均匀分布着 的正电荷，若氧化层的厚度为150nm，计算出这种电荷引起的平带电压。
(b) 若全部电荷都位于硅-氧化硅的界面上，重复(a)。
(c) 若电荷成三角分布，它的峰值在 ，在 处为零，重复(a)。
解： a) 电荷分布
因为电荷均匀分布，所以
b)
则
c) 电荷分布成三角形，峰值在 ，在 处为零，由此可设
6-12． (a) 若N沟道MOS增强型FET的源和衬底接地，栅和漏极短路，推导出描述源-漏两极 特性的公式。假设 为常数。
解： 栅-漏极短路，则 。漏端沟道夹断，

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