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半导体的其他特性和应用
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半导体的其他特性和应用
热敏电阻（自学）
光敏电阻（自学）
温差电偶（自学）
P-N结的适当组合可以作成具有放大
作用的晶体三极管（trasistor），以
及其他一些晶体管。
集成电路：
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利用P-N结
可以作成具有整流、开关等　
　　　作用的晶体二极管（diode）。
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1947年12月23日，美国贝尔实验室
的半导体小组做出了世界上第一只
具有放大作用的点接触型晶体三极管。

固定针B
探针
固定针A
Ge晶片
1956年小组的三位成员获诺贝尔物理奖。
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p
n
p
电信号
c
b
Veb
Vcb
R
e
~
后来，晶体管又从点接触型发展到面接触型。
晶体管比真空电子管体积小，重量轻，
成本低，可靠性高，寿命长，很快成为
第二代电子器件。
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集成电路
大规模集成电路
超大规模集成电路
下图为INMOS T900 微处理器:
每一个集成块（图中一个长方形部分）
约为手指甲大小，
它有300多万个三极管。
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半导体激光器
半导体激光器是光纤通讯中的重
要光源，在创建信息高速公路的
工程中起着极重要的作用。
　　核心部分是
　　　p型 GaAs 和 n型 GaAs
　　　　构成的 P-N结
　　　　　（通过掺杂补偿工艺制得）。
最简单的GaAs同质结半导体激光器，
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典型尺寸：
长 L = 250～500 m
宽 ｗ= 5～10 m
厚 d = 0.1～0.2 m
它的激励能源
是外加电压
(电泵)．在正向
偏压下工作。
解理面
P-N结
P-N结
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当正向电压大到一定程度时，在某些特
定的能级之间造成粒子数反转的状态，
形成电子与空穴复合发光。
P-Ｎ结本身就形成一个光学谐振腔，
它的两个端面就相当于两个反射镜，
形成激光振荡,
适当镀膜后可达到所要求的很高的
反射系数，并利于选频。．
有大量载流子跃迁到较高能量的能级上。
由自发辐射引起受激辐射。.
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半导体激光器的特点：
功率可达 102 mW
效率高
制造方便
成本低
所需电压低(只需1.5V )
体积小
极易与光纤接合

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