资源简介 (共13张PPT)半导体能带习题课件半导体能带习题课件2–13.在 结二极管中,N区的宽度 远小于 ,用( S为表面复合速度)作为N侧末端的少数载流子电流,并以此为边界条件之一,推导出载流子和电流分布。絵出在S=0和S= 时N侧少数载流子的分布形状。解:连续方程取取讨论:(1) 即长PN结:所以分子分母第二项近似为0(此即长PN结中少子分布)即短PN结:若取 ,则对 的讨论类似有取由边界条件得由上述条件可得所以2- . 结杂质分布Na=常数, ,导出 特性表达式。解:设 为N侧SCR的边界,对于 结,SCR的宽度为Poisson’s Eq 为=因为有 则 代入上式,得即当有偏压时总电荷则电容2– .若 二极管 区宽度 是和扩散长度同一数量级,推导小信号交流空穴分布和二极管导纳,假设在 处表面复合速度无限大。解:小信号 由近似为又有 [式(2-30)]所以有令 则有其中右侧第一项为直流分量,第二项为交流分量(1)当x=0时(表面复合速率无限大)根据连续方程 将(1)式代入有其中直流分量为交流部分为方程的通解为边界条件为代入通解中有所以所以所以对于 结, ,故 展开更多...... 收起↑ 资源预览