2022-2023学年高二物理 半导体能带习题 竞赛课件(共13张PPT)

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2022-2023学年高二物理 半导体能带习题 竞赛课件(共13张PPT)

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半导体能带习题课件
半导体能带习题课件
2–13.在 结二极管中,N区的宽度 远小于 ,用
( S为表面复合速度)作为N侧末端的少数载流子电流,并以此为边界条件之一,推导出载流子和电流分布。絵出在S=0和S= 时N侧少数载流子的分布形状。
解:连续方程


讨论:
(1) 即长PN结:
所以分子分母第二项近似为0
(此即长PN结中少子分布)
即短PN结:
若取 ,则
对 的讨论类似有

由边界条件

由上述条件可得
所以
2- . 结杂质分布Na=常数, ,导出 特性表达式。
解:设 为N侧SCR的边界,对于 结,SCR的宽度为Poisson’s Eq 为

因为有 则 代入上式,得

当有偏压时
总电荷
则电容
2– .若 二极管 区宽度 是和扩散长度同一数量级,推导小信号交流空穴分布和二极管导纳,假设在 处表面复合速度无限大。
解:小信号 由近似为
又有 [式(2-30)]
所以有
令 则有
其中右侧第一项为直流分量,第二项为交流分量
(1)
当x=0时
(表面复合速率无限大)
根据连续方程 将(1)式代入有
其中直流分量为
交流部分为
方程的通解为
边界条件为
代入通解中有
所以
所以
所以
对于 结, ,故

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