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耗尽层宽度和掺杂的关系
势垒区内正负电荷总量相等。
耗尽层主要落在杂质能度低的一侧。
耗尽层宽度和掺杂的关系
接触电势差
有外加偏压时：
x1
x2
DEc
DEv
EF1
Ev1
EC2
EF2
Eg1
Eg2
f1
f2
NC 导带有效状态密度
价带有效状态密度
内建电场计算
突变反型异质结的势垒电容
势垒区内电荷总量相等
突变同型异质结
EF2>EF1, 电子从宽带流入窄带
必有一边为积累区
异型异质结中，少子起主要作用。
同型异质结（nN和pP）中，其性质主要是由多数载流子决定。
同型异质结中，由于异质结两边的导电型号相同，两侧不再象异型异质结那样出现两个耗尽层构成的电偶极区。而是在宽带隙一侧的施主（nN结N侧）或受主（pP结的P侧）电离产生足够的空间电荷，而窄带隙一侧出现多子的积累。因此，同型异质结是由宽带一侧的耗尽层和窄带一侧的载流子积累层构成的电偶极区。
几种异质结的能带图
(1) p-N异质结
n-P异质结
(3) n-N同型异质结
(4) p-P 同型异质结
A 宽带掺杂少
相近
窄宽带掺杂少
3.1.5 尖峰的位置与掺杂浓度的关系
尖峰的位置由两侧的掺杂决定
异质结应用举例

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