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欧姆接触
欧姆接触
欧姆接触是接触电阻很低的结，理想状态下，欧姆接触所形成的电流是电压的线性函数。
两种欧姆接触：
使表面不产生势垒的接触
隧道效应
区别１．反向饱和电流的数量级
肖特基势垒二极管的反向饱和电流密度：
理想pn结二极管的反向饱和电流密度：
1、电流输运机构不同。
2、反向电流输运机构不同密度不同。pn结二极管的反偏电流主要由产生电流支配，~10-7A/cm2，比肖特基二极管小2~3个数量级。
0.3V
0.7V
区别２ 开关特性
pn结二极管靠少子扩散运动形成电流，外加正偏电压时少子首先形成一定的积累，再靠扩散运动形成电流。
肖特基二极管的电流取决于多子通过内建电势的发射电流。外加正偏电压时直接形成漂移电流流走。
9.2欧姆接触
使表面不产生势垒的接触
使N型半导体表面更N，不上坡，下坡
9.2欧姆接触
9.2欧姆接触
金属与p型半导体非整流接触的理想情况
使p型半导体表面更p
9.2欧姆接触
前述没有考虑界面态的影响．实际由于界面态的影响，很难很好的形成欧姆接触．
上半部为受主态，位于EF下时带负电
（图９.１１b）
下半部为施主态，位于EF上时带正电
（图９.１3b）
因此，实际的欧姆接触采用隧道效应
9.2欧姆接触
隧道效应
１００埃左右
隧道电流：
隧道电流随掺杂浓度的增大而指数增大。
接触电阻值
整流接触：
欧姆接触(隧道效应)：
Rc随Nd呈指数规律变化。
9.2欧姆接触
9.3异质结
能带图
异质结的分类：
反型异质结；nP结，Np结，
大写字母表示较宽带隙材料。
同型异质结：nN结，pP结
有用的异质结，两种材料的晶格常数必须匹配。
9.3异质结
接触前
接触后，
电子从n—p；
空穴从p—n；
N区存在正空间电荷区；
P区存在负空间电荷区；
能带发生弯曲；
接触后
9.3异质结
9.3异质结
nN结热平衡时理想能带图（三角势阱）
GaAs
AlGaAs
二维电子气：电子堆积在异质结表面的势阱中，沿垂直于表面方向的运动变得量子化，即它的能量只能取一系列的分立值；而平行于表面的运动仍是自由的，能量可以是任意值。
9.3异质结
三角形势阱
z
x
y
低掺杂
散射小
9.3异质结
9.3异质结
IV特性
类似整流接触
Ew为有效势垒高度
小结
金半接触——整流接触；势垒高度的计算；
外加电压存在时，肖特基势垒的变化；
肖特基势垒二极管的理想I-V关系；
肖特基二极管与pn结二极管的区别；
欧姆接触；
异质结；

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