资源简介 (共12张PPT)突变反型异质结的接触电势差势垒区宽度一 工艺过程生长方法,界面态能带弯曲二 异质结晶面的取向极性半导体,组成半导体的两种原子具有不同的负电性 例如,GAAs, 半导体中Ga和As对电子的束缚能力不同,当组成晶体时,电子更多地偏向As原子一方.(110) : 电中性(111) 极性- 偶极距三 组成异质结的半导体特性偶极距应变影响能带突变的因素安德森(Anderson)能带模型假定:1,在异质结界面处不存在界面态和偶极态;2,异质结界面两边的空间电荷层(或耗尽层中),空间电荷的符号相反、大小相等;3,异质结界面两边的介电常数分别为 1和 2, 1 2,界面处的电场不连续: 1E1= 2E2 E1 E2。什么是Anderson 定则?异质结能带有几种突变形式?尖峰的位置与掺杂浓度的关系是什么?同质结和异质结的电势分布有何异同?同型异质结有哪些特点。InAsGaSb电子从一种半导体大量流入到另一种半导体,使一种半导体存在大量电子,而另一种存在大量空穴。使它们具有导电能力,具有半金属性质。利用分子束外延生长高质量GaAs基GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格材料技术,为下一步制造价格便宜、性能可靠的N-GaAs/P-GaSb热光伏电池、新一代焦平面多色红外探测器件等提供了重要的技术基础。可以产生热电子能使电子发生反射的的势垒提供一定厚度和高度的势垒能造成一定深度和宽度的势阱能带突变的应用DEc=0.07eVDEv=0.69eVDEc+ DEv= =0.76eV泊松方程势垒区中的电荷密度分布where again NA1 is the net acceptor concentration in the p side, and ND2 is the net donor concentration on the N side.突变反型异质结的泊松方程where e1 and e2 are the permittivity in the p and N regions, 边界条件:pnx1x2x0线性,在交界处不连续Thus the electric field is given by two in the depletion region and zero outside.电场分布If we choose the reference potential to be zero for x 电势分布 展开更多...... 收起↑ 资源预览