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(共12张PPT)
异质结
异质结
Nn结
二维电子气
n=1012cm-2
电子在平行于结表面的运动是自由的
（在这些地方，杂质与载流子分离，散射减弱。边区夹缝中的电子迁移率可达8000cm2/Vs）
名称：
HEMT 高电子迁移率晶体管
MODFET 掺杂调制场效应晶体管
SDHT 选择性掺杂异质结场效应晶体管
TEGFET 二维电子气场效应晶体管
晶格（声子）散射
电离杂质散射
为什么JFET比MOSFET频率特性好？
P354，例11.11，MOSFET fT=796MHz
P420，例13.9，Si JFET fT=3.54GHz
为什么JFET不如MOSFET电流特性好？
MOSFET输出电流在几mA或更大
JFET最大饱和电流一般零点几mA
N-i-n结
(可以减弱电离杂质的库仑力对电子的影响。但电子密度比前图小)
晶格（声子）散射
电离杂质散射
结型场效应晶体管
13.1 JFET概念
13.2器件的特性
13.3非理想因素
13.4等效电路和频率限制
13.5高电子迁移率晶体管
多层异质结
相当并联输出，可以增加输出电流，增强负载能力
HEMT性能
栅压控制二维电子气的密度（存在或耗尽）
负压耗尽：相当电子排斥了沟道的电子
有电子气和耗尽时的情况
低于费米能级和高于费米能级
假设为-1V
增强型器件
正压导通（相当于少耗尽些）
假设为-2V
假设为-1V，相当加+1v
增强型I-V曲线
多层结构HEMT
一般几十GHz(35GHz)
0.25um100GHz
定性比较频率特性
MOS:几百ＭHz
优点：工艺简单，功耗低（相对双极）
缺点：频率特性，放大特性
JFET:几个G Hz
优点：频率
缺点：电流偏压噪声
HMET:几十G Hz甚至上百G Hz
优点：低噪声，高频率，高跨导低损耗
缺点：工艺复杂

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