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场效应管符号
MOSFET的分类
N型衬底制成的管子，其漏－源区是P型的，称为P沟MOS场效应管；
P型材料制成的管子，其漏－源区是N型的，称为N沟MOS场效应管。
场效应管符号
N沟道增强型MOSFET管，衬底箭头向里。漏、衬底和源、分开，表示零栅压时沟道不通。
表示衬底在内部没有与源极连接。
N沟道耗尽型MOSFET管。漏、衬底和源不断开表示零栅压时沟道已经连通。
N沟道结型FET管。没有绝缘层。
如果是P沟道，箭头则向外。
MOSFET的四种类型
P沟耗尽型：栅压为零时，沟道已存在，加上一个正的栅压可以使P型沟道消失。
P沟增强型：栅压为零时，沟道不存在，加上一个负的栅压才能形成P型沟道。
N沟增强型：栅压为零时，沟道不存在，加上一个正的栅压才能形成N型沟道。
N沟耗尽型：栅压为零时，沟道已存在，加上一个负的栅压才能使N型沟道消失。
图4.6 各类场效应晶体管的特性曲线
绝缘栅场效应管
N
沟
道
增
强
型
P
沟
道
增
强
型
绝缘栅场效应管
N
沟
道
耗
尽
型
P
沟
道
耗
尽
型
结型场效应管
N
沟
道
耗
尽
型
P
沟
道
耗
尽
型
双极型和场效应型三极管的比较
双极型三极管 场效应三极管
结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道
绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道
C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用
载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移
输入量 电流输入 电压输入
控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm)
双极型三极管 场效应三极管
噪声 较大 较小
温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点
输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上
静电影响 不受静电影响 易受静电影响
集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成
场效应三极管的参数和型号
(1) 场效应三极管的参数
① 开启电压VGS(th) (或VT)
开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于
开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。
② 夹断电压VGS(off) (或VP)
夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。
③ 饱和漏极电流IDSS
耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。
④ 输入电阻RGS
场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。
⑤ 低频跨导gm
低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，
这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。
⑥ 最大漏极功耗PDM
最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型
三极管的PCM相当。
(2)场效应三极管的型号
场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如, 3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。
表2 场效应三极管的参数
2023/3/21
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、
C硅PNP管、D硅NPN管
第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、
G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
用字母表示材料
用字母表示器件的种类
用数字表示同种器件型号的序号
用字母表示同一型号中的不同规格
三极管
2023/3/21
表02.01 双极型三极管的参数
参
数
型
号
P
C
M
mW
I
C
M
mA
VR
CBO
V
VR
CEO
V
VR
EBO
V
I
C
BO
μ
A
f
T
MHz
3AX31D
125
125
20
12
≤
6
*≥
8
3BX31C
125
125
40
24
≤
6
*≥
8
3CG101C
100
30
45
0.1
100
3DG123C
500
50
40
30
0.35
3DD101D
5A
5A
300
250
4
≤
2mA
3DK100B
100
30
25
15
≤
0.1
300
3DKG23
250W
30A
400
325
8
注：*为 f
半导体三极管图片
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