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(共13张PPT)
功率MOS晶体管
功率晶体管
专门为用作开关或大功率调节应用而设计的器件
功率MOS晶体管
与BJT相比，功率MOS晶体管可适用于高速开关应用
与BJT相比，MOS晶体管的栅极提供了纯容性的负载
在漏源电压很小的情况下，MOS晶体管也能够传导大电流
当时，MOS晶体管近似于一个电阻，其阻值为
功率MOS晶体管
2
环形晶体管：(A) 方形；(B) 圆形
环形结构可以降低漏区电容与沟道宽度之比，提高开关速度
环形晶体管
3
背栅接触与保护环结合用于防止闩锁效应
NMOS背栅须低于或等于源极电位；PMOS背栅须高于或等于源极电位
(A) 邻接的背栅接触孔：源极和背栅在同一电位
(B) 分离的背栅接触孔：源极和背栅在不同电位
背栅接触
4
(A) 叉指状背栅接触孔
(B) 分布式背栅接触孔
背栅接触
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扩展电压晶体管
6
(A) 轻掺杂漏区(LDD)晶体管
(B) 双扩散漏区(DDD)晶体管
LDD和DDD晶体管
7
(A) 非对称扩展漏区结构；(B) 对称扩展漏区结构
扩展漏区NMOS晶体管
8
(A) 非对称扩展漏区结构；(B) 对称扩展漏区结构
扩展漏区PMOS晶体管
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(A-B-C) 分阶段氧化技术；(D-E-F) 刻蚀再生长技术
多栅氧化层
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(A) 薄氧化层晶体管；(B) 厚氧化层晶体管
多栅氧化层版图
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(A) 理想的功率MOS晶体管安全工作区
(B) 典型的集成功率MOS晶体管安全工作区
晶体管的击穿电压决定了其最大漏源电压
电迁徙限制决定了晶体管的最大漏极电流
芯片的最高工作温度与散热共同决定了晶体管的最大的稳态功耗
MOS安全工作区
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矩形功率晶体管金属连线版图，箭头表示电流方向
功率MOS晶体管版图
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