资源简介 (共12张PPT)金属和半导体接触整流理论金属和半导体接触整流理论一.外加电压对n型阻挡层(Vs<0)的作用1.外加电压V=0半导体侧电子势垒高度:无净电流2.加正向电压V>0半导体侧电子势垒高度降低为-q[(Vs)0+V)]金属侧电子势垒高度不变。电流方向M→ S,由S → M的电子形成正向电流。3.加反向电压V<0半导体侧电子势垒高度增加为: -q[(Vs)0+V)]电流方向S→ M ,由M →S 的电子形成反向电流阻挡层的I/V特性 正向电流随外加正向电压增加而增大; 金属一侧势垒很高,反向电流很小,且趋于饱和。 阻挡层具有单向导电性——整流特性。P型半导体n型和p型阻挡层的作用阻挡层具有整流特性;正向电流规定为半导体多子形成的电流;n型: 金属极加正电压,V>0,形成电子由半导体到金属的正向电流;电流方向:金属→半导体p型:金属极加负电压V<0,形成空穴由半导体到金属的正向电流;电流方向:半导体→金属1.扩散理论流过势垒的电流主要由电子在耗尽区的扩散和漂移过程决定。适于势垒区宽度远大于电子的平均自由程的半导体二.理论模型耗尽区:杂质全电离,电荷由杂质电离形成。电场仅存在空间电荷区。方向指向半导体表面。泊松方程:利用边界条件:势垒中的电场V>0, 势垒宽度 xd随V增加而减小,半导体侧势垒降低。V<0,势垒宽度 xd随V 增加而增加,半导体侧势垒升高这种依赖于外加电压的势垒,称为肖特基势垒。最大电场随反向电压的增加而增大,正向电压的增加而减小,且随掺杂浓度的增加而增大;势垒区宽度随反向电压的增加而增大,正向电压的增加而减小,且随掺杂浓度的增加而减小,注意:讨论: 展开更多...... 收起↑ 资源预览