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MOS晶体管的匹配规则
采用相同的叉指图形采用大面积的有源区对于电压匹配，保持小值对于电流匹配，保持大值MOS晶体管的匹配规则采用薄氧化层器件代替厚氧化层器件使晶体管的取向一致晶体管应相互靠近匹配晶体管的版图应尽可能紧凑MOS晶体管的匹配规则如果可能，应采用共质心版图结构避免使用极短或极窄的晶体管在阵列晶体管的末端放置陪衬段把晶体管放置在低应力梯度区域MOS晶体管的匹配规则晶体管应与功率器件距离适当有源栅区上方不要放置接触孔金属布线不能穿过有源栅区使所有深扩散结远离有源栅区MOS晶体管的匹配规则精确匹配晶体管应放置在芯片的对称轴上不要让NBL阴影与有源栅区相交用金属条连接栅叉指尽量使用NMOS晶体管而非PMOS晶体管MOS晶体管的匹配规则浮栅晶体管
浮栅雪崩注入MOS(FAMOS)晶体管图中显示利用漏区/背栅结雪崩击穿注入电子的编程过程FAMOS晶体管双层多晶硅晶体管(A)剖面图；(B)等效电路双层多晶硅晶体管浮栅隧穿氧化层(FOTOX)晶体管FOTOX晶体管单层多晶硅EEPROM单元(A)版图；(B)等效电路单层多晶硅EEPROM单元单层多晶硅EEPROM单元的工作模式(A)编程；(B)读取数据；(C)擦除数据单层多晶硅EEPROM单元工作模式jfet晶体管
(A)连接成电流镜的P型JFET的电路图；(B) I-V特性曲线饱和电流为其中，为夹断电压；、、和分别为沟道电阻率、宽度、长度和厚度JFET建模采用标准双极工艺制作的N沟道JFET的版图和剖面图栅极与衬底相连，可通过邻近的衬底接触孔连接JFET版图采用模拟BiCMOS工艺制作的N阱JFET的版图和剖面图JFET版图本章结束

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