资源简介 (共12张PPT)非均匀半导体中的自建场非均匀半导体中的自建场半导体中的静电场和势非均匀半导体和自建电场流密度和电流密度在漂移和扩散同时存在的情况下,空穴和电子的流密度分别为电流密度分别为在一维情况下,空穴和电子的电流分别为式中为电流垂直流过的面积。(1-135)(1-132)(1-133)(1-134)(1-136)(1-137)电场 定义为电势 的负梯度电势与电子势能的关系为可以把电场表示为(一维)取 表示静电势与此类似,定义 为费米势。(1-138)(1-140)(1-141)(1-142)于是式中 称为热电势.在热平衡情况下,费米势为常数,可以把它取为零基准,(1-145)(1-146)(1-143)(1-144)非均匀的杂质分布会在半导体中形成电场,称为自建电场。在热平衡情况下,由有和同样,对于型半导体,有(1-145)(1-146)(1-150)(1-151)(1-152)(1-153)1.6非平衡载流子在非平衡状态下可以定义 和 两个量以代替 ,使得式中 和 分别称为电子和空穴的准费米能级, 和分别为相应的准费米势:(1-162)(1-163)修正的欧姆定律(1-166)式和(1-167)式称为修正的欧姆定律,其中分别称为电子和空穴的等效电导率。修正欧姆定律虽然在形式上和欧姆定律一致,但它包括了载流子的漂移和扩散的综合效应。从修正欧姆定律可以看出,费米能级恒定(即)是电流为零的条件。处于热平衡的半导体,费米能级恒定。或者说,热平衡系统具有统一的费米能级。(1-166)(1-167)通过复合中心的复合:为简单计,假设复合中心对电子和空穴的俘获系数相等。净复合率可写成或表面复合(1-207)(1-208)(1-209)(1-210) 0.1500.1250.1000.0750.0500.02504.004.104.204.304.40T / KR / Ω 典型超导合金 高温超导氧化物NbTi 9.5 YBa2Cu3O7-δ 90NbZr 11 Bi2Sr2CaCu2O8 85PbIn 3.4~7.3 Tl2Ba2Ca2Cu3O10 125PbBi 8.5 HgBa2Ca2Cu3O10 1361933年迈斯纳和奥森菲尔德发现,无论是在磁场中降温使样品进入零电阻态,还是将已经是零电阻态的样品移入磁场中,样品中的磁感应强度均为零,称为迈斯纳效应迈斯纳效应说明超导体是完全抗磁体 展开更多...... 收起↑ 资源预览