资源简介

(共14张PPT)
半导体的体内平衡浓度
0
将这种多子浓度高于体内平衡浓度的表面层叫多子堆积层，称此时的表面空间电荷层处于多子堆积状态。
多子空穴
空间电荷
特征：
1）能带向上弯曲并接近EF；
2）多子（空 穴）在半导 体表面积累，越接近半导体表面多子浓度越高。
x
Qs
Qm
EFm
Ec
Ei
Ev
Ev1
Ec1
EFs
无空间电荷
(2) VG=0，VS=0，平带
半导体表面电荷堆积为0，
称这种状态为平带状态。
特征：半导体表面能带平直。
(3) VG>0，金属接+，半导体接负
Ec
Ev
EF
Ei
qVs
qVB
VB是体内势 ：
多子耗尽
ps<(po)p，空间电荷区的负电荷绝大部分为过剩的电离的受主
I
M
+
+
+
+
+
+
S
－－
－－－
－
电离的受主
这种状态称为多子的耗尽状态，空间电荷区为耗尽层。
空间电荷
特征：
1）表面能带向下弯曲；
2）表面上的多子浓度比体内少得多，
基本上耗尽，表面带负电。
Qm
Qs
x
（4）VG>>0 反型层
界面
Ec
Ei
EF
Ev
qVs
x
qV
qVB
Eg
半导体
绝缘体
表面空间电荷区内能带的弯曲
P
电子
称这个状态为反型状态
电子
电离受主
空间电荷
反型少子堆积
弱反型：ps强反型：ns>(po)p
特征：
1）Ei与EF在表面处相交（此处为本征型）；
2）表面区的少子数>多子数——表面反型；
3）反型层和半导体内部之间还夹着一层耗尽层。
表面反型条件
出现强反型的临界条件，ns=(po)p

展开更多......

收起↑