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场效应管与晶体管的比较
场效应管与晶体管的比较
场效应管 三极管
单极性：多子 双极型：多子和少子
压控型 流控型
Ri很大 Ri较小
跨导较小 β大
JFET的d,s可互换 c,e互换β很小
温度稳定性好 温度稳定性差
可作压控电阻
当VDS增加到使VGD=VT时，
当VDS增加到VGD VT时，
这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。此时的漏极电流ID 基本饱和。
此时预夹断区域加长，伸向S极。 VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。
iD=f(vGS) vDS=C
转移特性曲线
iD=f(vDS) vGS=C
输出特性曲线
vDS(V)
iD(mA)
当vGS变化时，RON将随之变化，因此称之为可变电阻区
恒流区(饱和区)：vGS一定时，iD基本不随vDS变化而变化。
vGS/V
三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线
一、N沟道耗尽型MOS场效应管结构
+ + + + + + +


耗尽型MOS管存在
原始导电沟道
耗尽型MOS场效应管
当VGS=0时，VDS加正向电压，产生漏极电流iD,此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示。
当VGS＞0时,将使iD进一步增加。
当VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至iD=0，对应iD=0的VGS称为夹断电压，用符号VP表示。
VGS(V)
iD(mA)
VP
N沟道耗尽型MOS管可工作在VGS 0或VGS>0
N沟道增强型MOS管只能工作在VGS>0
二、N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理
输出特性曲线
VGS(V)
iD(mA)
VP
转移特性曲线
三、N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线
绝缘栅场效应管
N
沟
道
增
强
型
P
沟
道
增
强
型
各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线
绝缘栅场效应管
N
沟
道
耗
尽
型
P
沟
道
耗
尽
型
2. 夹断电压VP：是耗尽型FET的参数，当VGS=VP 时,漏极电流为零。
3. 饱和漏极电流IDSS
耗尽型场效应三极管当VGS=0时所对应的漏极电流。
1. 开启电压VT：MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。
4. 直流输入电阻RGS:栅源间所加的恒定电压VGS与流过栅极电流IGS之比。结型:大于107Ω，绝缘栅:109～1015Ω。
5. 漏源击穿电压V(BR)DS: 使ID开始剧增时的VDS。
6.栅源击穿电压V(BR) GS
JFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压
MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压
1.4.3 场效应管的主要参数
7. 低频跨导gm ：反映了栅源压对漏极电流的控制作用。
8. 输出电阻rds
9. 极间电容
Cgs—栅极与源极间电容
Cgd —栅极与漏极间电容
Csd —源极与漏极间电容
N沟道
P沟道
增强型
耗尽型
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
（耗尽型）
FET
场效应管
JFET
结型
MOSFET
绝缘栅型
(IGFET)
图 各种场效应管的符号对比
图 各种场效应管的符号对比
图 各种场效应管的转移特性和输出特性对比
(a)转移特性；(b)输出特性
图 各种场效应管的转移特性和输出特性对比
(a)转移特性；(b)输出特性
图 场效应管的符号及特性P44

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