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晶体管的主要参数
前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。
共射直流电流放大倍数：
工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为 IB，相应的集电极电流变化为 IC，则交流电流放大倍数为：
1. 电流放大倍数?和
晶体管的主要参数
?饱和区?
e结和c结均处于正偏的区域为饱和区。通常把uCE=uBE(即c结零偏)的情况称为临界饱和，对应点的轨迹为临界饱和线。
IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)
3
6
9
12
IB=0
20 A
40 A
60 A
80 A
100 A
此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE< 死区电压，称为截止区。
放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即： IC= IB , 且 IC = IB
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即：UCE UBE ， IB>IC，UCE 0.3V
(3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
输出特性三个区域的特点:
例： =50， USC =12V，
RB =70k ， RC =6k
当USB = -2V，2V，5V时，
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？
当USB =-2V时：
IC
UCE
IB
USC
RB
USB
C
B
E
RC
UBE
IB=0 ， IC=0
IC最大饱和电流：
Q位于截止区
例： =50， USC =12V，
RB =70k ， RC =6k
当USB = -2V，2V，5V时，
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？
IC< ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。
IC
UCE
IB
USC
RB
USB
C
B
E
RC
UBE
USB =2V时：
USB =5V时:
例： =50， USC =12V，
RB =70k ， RC =6k
当USB = -2V，2V，5V时，
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？
IC
UCE
IB
USC
RB
USB
C
B
E
RC
UBE
Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 倍的关系。
例：UCE=6V时：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。
在以后的计算中，一般作近似处理： =
共基极直流电流放大系数 和交流电流放大系数 ?
由于ICBO、ICEO都很小，在数值上β≈ ,α≈ 。所以在以后的计算中，不再加以区分。?
β值与测量条件有关。一般来说，在iC很大或很小时，β值较小。只有在iC不大、不小的中间值范围内，β值才比较大，且基本不随iC而变化。因此，在查手册时应注意β值的测试条件。尤其是大功率管更应强调这一点。
2.集-基极反向截止电流ICBO
A
ICBO
ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。
B
E
C
N
N
P
ICBO
ICEO= IBE+ICBO
IBE
IBE
ICBO进入N区，形成IBE。
根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流 IBE。
集电结反偏有ICBO
3. 集-射极反向截止电流ICEO
ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。

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