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本征半导体的导电机构和空穴
本征半导体的导电机构和空穴
空穴
f=m n*a=-q E
考虑导带底的电子
然而价带顶电子的有效质量m n*是负值，所以有
a=-q E/-｜ m n* ｜= q E/｜ m n* ｜
= q E/ m p*
再考虑价带顶的电子
f=m n*a=-q E
f=- ｜ m n* ｜ a=-q E
a=-q E/ m n*
空穴的有效质量
空穴不仅带有正电荷，而且还具有正的有效质量
本征半导体的导电机构 空穴
本征半导体的导电机构
思考题
1、有两种晶体其能量与波矢的关系如图所示，试问，哪一种晶体电子的有效质量大一些？为什么？
2、有效质量对能带的宽度有什么影响？有人说：“有效质量越大，态密度也越大，因而能带越窄。”是否如此？为什么？
3、从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同？
4、以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶体结构的联系？为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？
E
K
半导体中电子状态
1.1晶体结构和结合性质
1.2半导体中的电子状态和能带
1.3半导体中电子的运动 有效质量
1.4本征半导体的导电机构 空穴
1.5回旋共振
1.6硅和锗的能带结构
情况下的等能面方程
一般情况下的等能面方程
一般情况下的等能面方程
一般情况下的等能面方程

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