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MOS场效应晶体管
用来推导ID-VD关系的MOSFET示意图
MOS场效应晶体管
理想假设：
（1）忽略源区和漏区体电阻和电极接触电阻；
（2）沟道内掺杂均匀；
（3）载流子在反型层内的迁移率为常数；
（4）长沟道近似和缓变沟道近似，即Ex为一常数
（5）沟道中的电流主要是由漂移产生的
（4）VD继续增加，直到漏端
附近反型层电子消失， 称作沟道夹断，对应于B点，此时的VD=VDS定义为夹断电压
VG>VT的导通情况下，VD对电流ID的影响
VG>VT的导通情况下，VD对电流ID的影响
(5) VD>VDS时，沟道夹断部分ΔL增宽，夹断区载流子很少，电导率减小，VD超过VDS的部分主要降落在ΔL夹断区。
对于长沟道MOS, ΔL<VDS，ID基本保持 不变; 对于短沟道MOS（ ΔL ~L），当VD>VDS，ID随VD的增加略 有增加
VGS>VT的导通情况下，VDS对电流ID的影响
（6）VG>VTH, VG越大，反型层电子越多，对应夹断的VDS越 大；ID-VD特性曲线起始斜率随VG增大而增大。
（7）MOS管输出电流受栅电压控制，VGVTH导通，导通情况下，VDVDS,MOS工作在饱和区
。
VG>VT的导通情况下，VD对电流ID的影响
MOS场效应晶体管
平方律理论假设栅上电荷的变化仅由反型电荷QI变化来平衡，即耗尽层宽度不变.在MOSFET沟道中，漂移占主导作用
MOS场效应晶体管
MOS场效应晶体管
线性区
感应沟道电荷
漂移电子电流

（6-70）式称为萨支唐（C.T. Sah）方程。
MOSFET的半导体的电势从S端的0升到D端的VD，平板电容器在源端的电势差VG-VTH-0，漏端VG-VTH-VD，中间任一点为VG-VTH-V(y）
6.5 MOS场效应晶体管
6.5 MOS场效应晶体管
饱和区
假设在L点发生夹断，
方法二：
总结
MOSFET的平方律理论
NMOS：VTH>0
VGVDVG>VTH MOSFET导通
VD>VDs
PMOS :VTH<0
VG>VTH, MOSFET截止
VG

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