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MOS场效应晶体管
结论
QF，QM、 MS导致C-V特性曲线相对理想曲线沿电压轴产生平行的负漂移
QIT引起的VG会因所加偏置的不同或正或负，因而使C-V特性曲线产生畸变
目前生产商开发了一些减少MOS器件非理想性的工艺技术，可制备出近乎理想的器件
实际的MOS阈值电压和C-V曲线
平带电压:为实现平带条件所需的偏压：
（6-4-1）
第一项是，为消除半导体和金属的功函数差的影响，金属电极相对于半导体所需要加的外加电压；
第二项是为了把绝缘层中正电荷发出的电力线全部吸引到金属电极一侧所需要加的外加电压；
第三项是支撑出现强反型时的体电荷，所需要的外加电压；
第四项是开始出现强反型层时，半导体表面所需的表面势。
阈值电压
例题：
标准MOSFET，其理想情况下的阈值电压为0.8V。
xo=0.05 m, AG=10-3cm2,
非理想特性的相关参数为： MS=-0.89eV, QM=0, QIT=0,
假设T=300K。
1.确定平带电压VFB
2.确定实际MOSFET反型开始对应的栅电压VTH （4分）
3.给定的MOSFET是增强型MOSFET还是耗尽型MOSFET （2分
VG=0时器件导通，因此是耗尽型MOSFET
MOS场效应晶体管
基本结构和工作过程
1. 源极（S），漏极（D），栅极（G），有源区，场区
2.S与D在没有加外电压之前不能确定。
3.nFET（p型衬底，沟道电子导电）, D极是具有较高电压的一断
4.pFET（n型衬底，沟道空穴导电），D极是具有较低电压的一端
5.电流流动是由载流子（nFET为电子， pFET为空穴）在受栅极（G）控制的情况下，从源（S)向漏（D)运动而形成的。
MOS场效应晶体管
MOS场效应晶体管
2.MOSFET器件工作机理的定性分析
VG=0，VD>0，从源到漏是两个背靠背的反偏PN结，只有很小的反偏电流流过。
VG VT, MOS处于积累或耗尽，沟道中只有NA-耗尽层，MOS开路，ID=0
VG VT,沟道中电子堆积，反型层导电能力增强，MOS导通。VG越大，反型层电子越多，导电能力越强
VG6.5 MOS场效应晶体管
VG>VTH, 沟道有电子反型层，漏电流为ID
6.5 MOS场效应晶体管
（1）VD=0，热平衡ID=0
VG>VTH的导通情况下，VD对电流ID的影响
（2）VD增加小的正电压，沟道类似简单电阻，ID随 VD成正比增加
（3）VD大于零点几伏，VD对栅的反型起负面影响， 因为 漏端pn结反向偏置。VD增加，耗尽层增大，使漏端附近反型层电子减少，沟道导电能力下降， ID随VD增加的斜率变小
VG>VT的导通情况下，VD对电流ID的影响

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