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半导体场效应晶体
亚阈值电导
理想ID-VD关系中，当VG VTH时，MOSFET截止，ID=0
实际器件，当VG VTH时，ID并不为0，
把VG VTH时的漏电流称为亚阈值电流
半导体场效应晶体
理想和实验 函数关系的比较
s<2 fp时，在半导体表面EF更靠近EC，表面处于弱n型，沟道中存在少量电子，使沟道导通。
fp< s<2 fp
夹断前
夹断后
漏端电流反比于沟道长度，考虑沟道调制效应
例题
例1.一个理想的N沟道MOSFET,在T=300K下进行特性分析，器件参数为：
VG-VTVG-VT>VD
2
4
VG
VD=2V
VD=4V
VD=6V
下图给出了理想MOSFET的ID-VD特性图，所给特性中IDS=10-3A,
VDS=5V，请用平方律理论及图中所给信息回答下列问题：
（1）若阈值电压VTH=1V, 为了得到图中的特性曲线，需要在栅
极施加多大的电压？
（2）若x0=0.1 m, MOSFET偏置在图中点2处，求其沟道区靠近漏
端单位面积（每平方厘米）上的反型层电荷
（3）假设栅极电压被调整到VG-VTH=3V，求VD=4V时的ID
（4) 若图中点3为该MOSFET的静态工作点，请求出沟道电导
(5)若图中点3为该MOSFET的静态工作点，请求出跨导gm

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