资源简介

(共13张PPT)
场效应晶体管的类型
场效应晶体管的类型
按照反型层类型的不同，MOSFET可分
四种不同的基本类型
N沟MOSFET：
P沟增强型：VG=0，器件没有导通
P沟耗尽型：VG=0，器件已经导通
P沟MOSFET：
P沟增强型：VG=0，器件没有导通
P沟耗尽型：VG=0，器件已经导通
6.8场效应晶体管的类型
场效应晶体管的类型
表6.2四种器件的截面、输出特性和转移特性
6.8场效应晶体管的类型
表6.2四种器件的截面、输出特性和转移特性
小结
饱和区跨导：对式（6-74）求导
饱和区的漏极电阻
栅极电容
＝ ZL
（6-79）
（6-80）
（6-81）
小结
给出了交流等效电路图6-20
计算了截止频率
提高工作频率或工作速度的途径：沟道长度要短，载流子迁移率要高。
（6-82）
制备出一个标准MOSFET，相关参数为： MS=-0.89eV, QM=0,
QIT=0,
xo=0.05 m, AG=10-3cm2, NA=1015/cm3, 假设T=300K。
确定平带电压VFB。
确定反型开始对应的栅电压VTh
给定的MOSFET是增强型MOSFET还是耗尽型MOSFET
图1
图2
等效电路和频率响应
(4)如果MOSFET中内部状态如下图1所示，在图2所示的ID-VD特性曲线上确定相应的工作点
（5）若在VG-VTh=3V、VD=1V情况下，MOSFET的漏断电流ID=2.5 10-4A, 采用平方律关系，求在VG-VTh=3V、VD=4V情况下的漏断电流？
等效电路和频率响应
（1）
(2)
(3) 由于

，MOSFET开始导通，在
VG=0时器件导通，因此是耗尽型MOSFET
（4） 可见MOSFET沟道被夹断，相应于饱和开始的点为点D。
（5） 如果
MOSFET工作夹在夹断前的情况，由平方定律公式，有
当VG-VT=3V，VD=4V，器件进入饱和，有
等效电路和频率响应
室温下理想P沟MOSFET
（1）VD=0，器件开启时的能带图
（2） VD=0，器件开启时的电荷块图
（3）画出器件夹断时MOSFET中的反型层和耗尽层

展开更多......

收起↑