资源简介

(共12张PPT)
Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的杂质和缺陷
GaAs 晶体中的点缺陷
当 T ＞ 0 K 时：
● 空位 VGa、VAs
● 间隙原子 GaI、AsI
● 反结构缺陷 — Ga原子占据
As 空位，或 As 原子占据 Ga
空 位，记为 GaAs和 AsGa。
化合物晶体中的各类点缺陷可以电离，释放出电子或空穴，从而影响材料的电学性质。
实际晶体中，由于各种缺陷形成时所需要的能量不同，他们浓度会有很大差别。
GaAs
曾认为VAs、VGa是比较重要的。
最近发现，主要缺陷是VAs、AsI。
VGa、VAs、AsI 是起施主还是起受主作用，尚有分歧。
较多的人则采用 VAs、AsI 为施主、VGa 是受主的观点来解释各种实验结果。
（2）Ⅱ-Ⅵ 族化合物半导体中的缺陷
主要是离子键起作用，正负离子相间排列组成了非常稳定的结构，所以外界杂质对它们性能的影响不显著。
其导电类型主要是由它们自身结构的缺陷（间隙离子或空格点）所决定，这类缺陷在半导体中常起施主或受主作用。
a.负离子空位
产生正电中心，起施主作用
电负性小
b.正离子填隙
产生正电中心，起施主作用
c.正离子空位
产生负电中心，起受主作用
电负性大
d.负离子填隙
产生负电中心，起受主作用

展开更多......

收起↑