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半导体耗尽层厚度
半导体耗尽层厚度
耗尽情况
反型情况
会算其厚度
了解阈值反型点条件
常用器件掺杂范围
半导体耗尽层厚度
小节内容
11.1.4 平带电压
来源
定义
如果没有功函数差及氧化层电荷,平带电压为多少
如何算
11.1 MOS电容阈值电压:公式
阈值电压： 达到阈值反型点时所需的栅压
表面势=费米势的2倍
|QSDmax|=e Na xdT
QSD
ns
忽略反型层电荷
11.1 MOS电容 阈值电压:与掺杂/氧化层电荷的关系
P型衬底MOS结构
Q‘ss越大，则VTN的绝对值越大；
Na越高，则VTN的值（带符号）越大
Na很小时，VTN随Na的变化缓慢，且随Q’ss的增加而线性增加
Na很大时， VTN 随Na 的变化剧烈，且与Q’ss 的相关性变弱
11.1 MOS电容 阈值电压:导通类型
VTN>0
MOSFET为增强型
VG=0时未反型，加有正栅压时才反型
VTN<0
MOSFET为耗尽型
VG=0时已反型，加有负栅压后才能脱离反型
P型衬底MOS结构
11.1 MOS电容 阈值电压:n型衬底情形
费米势
表面耗尽层最大厚度
单位面积表面耗尽层电荷
单位面积栅氧化层电容
平带电压
阈值电压
11.1 MOS电容 n型衬底与p型衬底的比较
p型衬底MOS结构
n型衬底MOS结构
增强型、耗尽型都可能
增强型（除非掺P型杂质）
MOSFET类型
阈值电压典型值
金属-半导体功函数差
11.1 MOS电容 表面反型层电子密度与表面势的关系
11.1 MOS电容 表面空间电荷层电荷与表面势的关系
堆积
平带
耗尽
弱反型
强反型
小节内容
11.1.6 电荷分布
分布图
为什么书中可以经常忽略反型点的电荷 p327
11.1.5 阈值电压
概念
电中性条件
与谁有关 如何理解
N型 P型及掺杂的关系
11.2节内容
理想情况CV特性
频率特性
氧化层电荷及界面态的影响
实例
11.2 C-V特性什么是C-V特性？
平带
电容-电压特性
11.2 C-V特性 堆积状态
加负栅压，堆积层电荷能够跟得上栅压的变化，相当于栅介质平板电容
平带
本征

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