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理想情况CV特性
理想情况CV特性
CV特性概念
堆积平带耗尽反型下的概念
堆积平带耗尽反型下的计算
频率特性
高低频情况图形及解释
理想情况CV特性
C-V特性 平带状态
所加负栅压正好等于平带电压VFB，使半导体表面能带无弯曲
平带
本征
栅压趋近于平带电压时，总电容随表面德拜长度LD的增加而减少。
C-V特性 耗尽状态
加小的正栅压，表面耗尽层电荷随栅压的变化而变化，出现耗尽层电容
平带
本征
C’相当与Cox与Csd’串联
C-V特性 强反型状态(低频)
加大的正栅压且栅压变化较慢，反型层电荷跟得上栅压的变化
平带
本征
C-V特性 n型与p型的比较
p型衬底MOS结构
n型衬底MOS结构
C-V特性 反型状态(高频)
加较大的正栅压，使反型层电荷出现，但栅压变化较快，反型层电荷跟不上栅压的变化，只有耗尽层电容对C有贡献。此时，耗尽层宽度乃至耗尽层电容基本不随栅压变化而变化。
栅压频率的影响
C-V特性 氧化层电荷的影响
例图:因为Qss均为正电荷,需要额外牺牲负电荷来中和界面的正电,所以平带电压更负
- - - - -
++
C-V特性 界面陷阱的分类
被电子占据（在EFS之下）带负电，不被电子占据（在EFS之上）为中性
被电子占据（在EFS之下）为中性，不被电子占据（在EFS之上）带正电
（界面陷阱）
受主态容易接受电子带负电
正常情况热平衡不带电
施主态容易放出电子带正电
图11.32 氧化层界面处界面态示意图
C-V特性 界面陷阱的影响:堆积状态
堆积状态：界面陷阱带正电，C-V曲线左移，平带电压更负
例图:需要额外牺牲三个负电荷来中和界面态的正电,所以平带电压更负
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+++
施主态容易放出电子带正电
禁带中央：界面陷阱不带电，对C-V曲线无影响
C-V特性 界面陷阱的影响:本征状态
反型状态：界面陷阱带负电，C-V曲线右移，阈值电压更正。
C-V特性 界面陷阱的影响:反型状态
例图:需要额外牺牲三个正电荷来中和界面态的负电,所以阈值电压升高
_ _ _
++++++
受主态容易接受电子带负电
小节内容
氧化层电荷及界面态对C-V曲线的影响
氧化层电荷影响及曲线
界面态概念
界面态影响概念曲线
实例
如何测C-V曲线
如何看图解释出现的现象

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