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元素半导体中ⅢA族替位杂质的能级
（1）在 Si 中掺入 B
元素半导体中ⅢA族替位杂质的能级
B 获得一个电子变成负离子，成为负电中心，周围产生带正电的空穴。
B－
＋
B－
施主杂质的电离能小，
在常温下基本上电离。
价带
导带
受主杂质：束缚在杂质能级上的空穴被激发到价带Ev成为价带空穴，该杂质电离后成为负电中心（负离子）。这种杂质称为受主杂质。
受主杂质具有得到电子的性质，
向价带提供空穴。
价带空穴
电离受主 B－
电离的结果：价带中的空穴数增加了，
这即是掺受主的意义所在。
受主能级 EA
Ec
Ev
EA
受主能级靠近价带顶部
(2)受主电离能和受主能级
Si、Ge中 Ⅲ 族杂质的电离能△EA（eV）
晶体 杂 质
B Al Ga In
Si 0.045 0.057 0.065 0.16
Ge 0.01 0.01 0.011 0.011
受主能级EA
受主杂质的电离能小，在常温下基本上为价带电离的电子所占据（空穴由受主能级向价带激发）。
杂质电离或杂质激发：
杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）。
本征激发：
电子从价带直接向导带激发，成为导带的自由电子，这种激发称为~。
只有本征激发的半导体称为本征半导体。
所需要的能量称为杂质的电离能。
掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，半导体导电的载流子主要是电子（电子数>>空穴数），对应的半导体称为N型半导体。
称电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。

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