2022-2023学年高二物理竞赛课件:薛定谔方程小结(共12张PPT)

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2022-2023学年高二物理竞赛课件:薛定谔方程小结(共12张PPT)

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薛定谔方程小结
薛定谔方程小结
定义: 能量算符,动量算符和坐标算符
哈密顿算符
定态薛定谔方程(一维)
条件:U=U(x,y,z)
不随时间变化。
总波函数:
一般薛定谔方程(三维)
波函数的归一化和标准条件:单值、有限,连续
1、薛定谔得出的波动方程
2.一维无限深势阱中的粒子
能量量子化:
3.势垒穿透
在势能有限的情况下,微观粒子可以穿过势垒到达另一侧,称“隧道效应”。
4.谐振子
能量量子化:
零点能:
在势阱内概率密度分布不均匀,随x改变,且与n有关。但经典粒子在各点出现的概率是相同的。
德布罗意 波波长量子化:
类似经典的驻波。
以上是以Sz本征矢作为基矢来表达,如果以Sx本征矢作为基矢,结果如何?
1、已知的本征波函数作为基矢,自表象,算符矩阵对角化,对角矩阵元为本征值
总结:用已知的本征方程求解其他本征方程
练习题:
2、用确定的基矢表达其他算符,他表象,非对角化矩阵,齐次线性方程组。
3、用确定的算符矩阵求解所需本征方程,有解条件,久期方程,解本征值,再代入方程组求解本征矢。
杂质能级
杂质能级
半导体分类:
1. 本征半导体:具有相同数量的自由电子和空穴。
例如,纯 Si,纯 Ge。
2. 杂质半导体:适量掺入其他种原子的半导体。
N 型半导体:4 价硅或锗掺入 5 价元素 (如磷, 砷)
P 型半导体:4 价硅或锗掺入 3 价元素 (如铝, 铟)
N 型:电子是多数载流子
空穴是少数载流子
P 型:空穴是多数载流子
电子是少数载流子
施主
受主
利用已知数据,磷杂质原子的数密度为
nP = nSi / 5 106 = 1022 m-3
由每个磷原子贡献一个传导电子可知,这也是由于掺
入磷杂质而增加的传导电子数密度。
所以传导电子数密度为 nP + n0 ,增加的倍数为
如此微量的杂质使传导电子增加了100万倍!可见,
杂质半导体的导电能力比本征半导体增强非常显著。
PN结应用:
发光二极管
太阳能光电池
集成电路
自旋态:
经典比特:实数,四态
条件:模为1,bloch球
量子比特:复数,无穷多态
氢原子:自旋,玻尔磁子(自旋磁矩)
角动量的(矢量)合成,自旋轨道耦合
总角动量:
l = 0, j = s =1/2
l = 0, j = l s = l 1/2
氢原子电子态,四个量子数:
原子壳层最多允许容纳的电子数,氢原子简并度
泡利不相容原理,能量最低原理,
电子填充
三维无限深自由电子气模型,周期边界,动量量子化条件
动量量子态(指标):
自旋量子态(指标):
能量本正值:
能量量子态(主量子数):
能级简并度:
费米球,费米面(费米能级),费米速度,费米温度
状态数:
态密度:
能态密度:
能量最低原理,泡利不相容原理,态密度=电子数密度
费米面:
能带,价带,导带,禁带,能隙
金属,绝缘体,半导体
本征半导体,杂质半导体(N型,P型)
半导体击穿
电子束缚能,溢出功 = 费米面到真空能级距离
自由气体费米面 + 导带底能量 = 能带费米面

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