资源简介

备课组别 电子 上课 日期 第 课时 课型 主备教师
课题： 2.1 晶体三极管(第1课时)
教学 目标 1．掌握晶体三极管的结构、工作电压。
2．掌握晶体三极管的基本连接方式和电流分配关系。
重点 晶体三极管的放大作用
难点 晶体三极管的放大作用
教法 理实一体化
教学设备 教学平台、虚拟实验室、实验室
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 2.1 晶体三极管 晶体三极管：是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。 特点：管内有两种载流子参与导电。 2.1.1 三极管的结构、分类和符号 一、晶体三极管的基本结构 1．三极管的外形：如图所示。 2．特点：有三个电极，故称三极管。 三极管外形 3．三极管的结构： 晶体三极管有三个区――发射区、基区、集电区；
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 两个PN结――发射结(BE结)、集电结(BC结)； 三个电极――发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C)； 两种类型――PNP型管和NPN型管。 工艺要求： 发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。 三极管的结构图 二、晶体三极管的符号 晶体三极管的符号如图所示。 箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。 文字符号：V 三极管符号 三、晶体三极管的分类 1．三极管有多种分类方法。 按内部结构分：有NPN型和PNP型管； 按工作频率分：有低频和高频管； 按功率分：有小功率和大功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 2．国产三极管命名法：见《电子线路》P249附录二。 例如：3DG表示高频小功率NPN型硅三极管；3CG表示高频小功率PNP型硅三极管；3AK表示PNP型开关锗三极管等。 2.1.2 三极管的工作电压和基本连接方式 一、晶体三极管的工作电压 三极管的基本作用是放大电信号；工作在放大状态的外部条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。 三极管电源的接法 如图所示：V为三极管，GC为集电极电源，GB为基极电源，又称偏置电源，Rb为基极电阻，Rc为集电极电阻。 二、晶体三极管在电路中的基本连接方式 如图所示，晶体三极管有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。 共发射极接法
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 共基极接法 共集电极接法 本课小结 布置作业
板 书 设 计 2.1 晶体三极管 2.1.1 三极管的结构、分类和符号 一、晶体三极管的基本结构 二、晶体三极管的符号 三、晶体三极管的分类 2.1.2 三极管的工作电压和基本连接方式 一、晶体三极管的工作电压 二、晶体三极管在电路中的基本连接方式
教后札记
江苏省XY中等专业学校2020-2021-2教案 课时总编号：
备课组别 电子 上课 日期 第 课时 课型 主备教师
课题： 2.1 晶体三极管(第2课时)
教学 目标 1．熟练掌握晶体三极管的放大作用
2、共发射极电路的输入、输出特性曲线
重点 共发射极电路的输入、输出特性曲线
难点 共发射极电路的输入、输出特性曲线
教法 理实一体化
教学设备 教学平台、虚拟实验室、实验室
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 2.1 晶体三极管 2.1.3 三极管内电流的分配和放大作用 一、电流分配关系 动画 三极管的电流分配关系 测量电路如图所示：调节电位器，测得发射极电流、基极电流和集电极电流的对应数据如表所示。
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 由表2.1.1可见，三极管中电流分配关系如下： 因IB很小，则 ICIE 说明： 1．时，ICIBICBO。 ICBO称为集电极――基极反向饱和电流，见图2.1.7(a)。一般ICBO很小，与温度有关。 2．时，。 ICEO称为集电极――发射极反向电流，又叫穿透电流，见图(b)。 ICEO越小，三极管温度稳定性越好。硅管的温度稳定性比锗管好。 ICBO和ICEO示意图 二、晶体三极管的电流放大作用 动画 三极管的电流放大作用 由表2.1.1得出 结论： 三极管有电流放大作用――基极电流微小的变化，引起集电极电流IC较大变化。 交流电流放大系数――表示三极管放大交流电流的能力 3．直流电流放大系数――表示三极管放大直流电流的能力。
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 4．通常，，所以可表示为 考虑ICEO，则 2.1.4 三极管的输入和输出特性 一、共发射极输入特性曲线 动画 三极管的输入特性 输入特性曲线：集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线，如图所示。由图可见： 共发射极输入特性曲线 1．当VCE2V时，特性曲线基本重合。 2．当VBE很小时，IB等于零，三极管处于截止状态； 3．当VBE大于门槛电压(硅管约0.5V，锗管约0.2 V)时，IB逐渐增大，三极管开始导通。 4．三极管导通后，VBE基本不变。硅管约为0.7V，锗管约为0.3V，称为三极管的导通电压。 5．VBE与IB成非线性关系。 二、晶体三极管的输出特性曲线 动画 三极管的输出特性 输出特性曲线：基极电流一定时，集、射极之间
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 的电压与集电极电流的关系曲线，如图所示。 由图可见：输出特性曲线可分为三个工作区。 1．截止区 条件：发射结反偏或两端电压为零。 特点：。 2．饱和区 条件：发射结和集电结均为正偏。 特点：。 称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。 3．放大区 条件：发射结正偏，集电结反偏。
板 书 设 计 2.1 晶体三极管 2.1.3 三极管内电流的分配和放大作用 一、电流分配关系 二、晶体三极管的电流放大作用 2.1.4 三极管的输入和输出特性 一、共发射极输入特性曲线 二、晶体三极管的输出特性曲线
教后札记
江苏省XY中等专业学校2020-2021-2教案 课时总编号：
备课组别 电子 上课 日期 第 课时 课型 理论课 主备教师
课题： 2.1 晶体三极管
教学 目标 1．掌握主要参数及温度对参数的影响。
重点 掌握主要参数及温度对参数的影响
难点 掌握主要参数及温度对参数的影响
教法 理实一体化
教学设备 教学平台、虚拟实验室、实验室
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 2.1 晶体三极管 2.1.5 三极管主要参数 三极管的参数是表征管子的性能和适用范围的参考数据。 共发射极电流放大系数 1．直流放大系数。 2．交流放大系数。 电流放大系数一般在10~100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取3080为宜。 极间反向饱和电流 1．集电极――基极反向饱和电流ICBO。 2．集电极――发射极反向饱和电流ICEO。 反向饱和电流随温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 三、极限参数 1.集电极最大允许电流ICM 三极管工作时，当集电极电流超过ICM时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。 2.集电极最大允许耗散功率PCM 当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。 3.集电极――发射极间反向击穿电压V(BR)CEO 管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。 2.1.6 三极管的简单测试 一、硅管或锗管的判别 判别电路如图所示。 当V0.60.7V时，为硅管；当V0.10.3V时，为锗管。 二、估计比较 的大小 NPN管估测电路如图所示。 万用表设置在挡，测量并比较开关S断开和接通时的电阻值。前后两个读数相差越大，说明管子的
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 越高，即电流放大能力越大。 估测PNP管时，将万用表两只表笔对换位置。 三、估测ICEO NPN管估测电路如图所示。所测阻值越大，说明管子的越小。若阻值无穷大，三极管开路；若阻值为零，三极管短路。 测PNP型管时，红、黑表笔对调，方法同前。 四、NPN管型和PNP管型的判断 将万用表设置在R*1k 或R*100挡，用黑表笔和任一管脚相接(假设它是基极b)，红表笔分别和另外两个管脚相接，如果测得两个阻值都很小，则黑表笔所连接的就是基极，而且是NPN型的管子。如图(a)所示。如果按上述方法测得的结果均为高阻值，则黑表笔所连接的是PNP管的基极。如图(b)所示。 五、e、b、c三个管脚的判断 首先确定三极管的基极和管型，然后采用估测值的方法判断c、e极。方法是先假定一个待定电极为集电极(另一个假定为发射极)接入电路，记下欧姆表的摆动幅度，然后再把两个待定电极对调一下接入电路，并记下欧姆表的摆动幅度。
教学 环节 教学活动内容及组织过程 个案补充
教 学 内 容 摆动幅度大的一次，黑表笔所连接的管脚是集电极c，红表笔所连接的管脚为发射极e，如图所示。测PNP管时，只要把图电路中红、黑表笔对调位置，仍照上述方法测试。 本课小结 布置作业
板 书 设 计 2.1 晶体三极管 2.1.5 三极管主要参数 一、共发射极电流放大系数 二、极间反向饱和电流 三、极限参数 2.1.6 三极管的简单测试 一、硅管或锗管的判别 二、估计比较的大小
教后札记

展开更多......

收起↑