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(共12张PPT)
晶体管的高频等效模型
因 值随频率升高而降低，高频下不能采用 H 参数等效电路。
一、晶体管的混合 模型
B
E
B
C
rbb
rb e
rb c
Cb c
Cb e
Cb e ：不恒定，
与工作状态有关
Cb c ：几 pF，限制着放大器频带的展宽
晶体管的高频等效模型
特点：忽略了-3dB的误差，以fL、fH为拐点，得 “折线”
作幅频特性波特图的方法：
1、横轴上标出0.1fL、fL 和 fH、10 fH 点，
2、纵轴上标出-20dB点，
3、点(0.1fL，-20dB) 与(fL，0dB) ， 点(10 fH，-20dB)与(fH，0dB) ，连线。
作相频特性波特图的方法：
1、横轴上标出0.1fL、fL、10fL点，在纵轴上标出00、+450、+900点，(0.1fL、 +900) (fL、 +450) (10fL、 00)连线。
2、横轴上标出0.1fH、fH、10 fH点，在纵轴上标出00、- 450、 - 900点， (0.1fH、 00) (fH、 - 450) (10fH、 - 900)连线。
例 1
求一阶低通电路的上限截止频率。
0.01 F
1 k
1 k
0.5 k
0.01 F
例 2
已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz，求电容 C。
500
C
2 k
戴维宁定理等效
P226 图5.2.1 晶体管结构示意图及混合π模型
’
忽略
忽略
’
P227 图5.2.2 混合π模型的简化
有关参数：
放大倍数
指Q点附近的参数
需分中、高、低三个频段分别求解
1. 中频特性
耦合电容 C可视为短路
极间电容可视为开路
RL
+VCC
RC
C
V
+
RB1
RB2
RS
US

2. 低频特性：
极间电容视为开路
耦合电容 C 与电路中电阻串联容抗不能忽略
3. 高频特性：
极间电容不能忽略，耦合电容 C 视为短路
二、 与频率 f 的关系
= 0.71 0
f — 共发射极截止频率
fT — 特征频率
= 1
f

f
o
0.707 o
1
fT
O
图5.2.4 的波特图
5. 4 单管放大电路频率响应
需分中、高、低三个频段分别求解

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