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场效应管放大器的高频响应
场效应管放大器的高频响应
5、负载电容和分布电容对高频响应的影响
计算管子极间电容与负载电容
影响在内的总的上限角频率
(为输出回路时常数倒数)
6、结果讨论
通过以上分析，为我们设计宽带放大器提供了依据。
1.选择晶体管的依据
2.关于信号源内阻Rs
3.关于集电极负载电阻RC的选择原则
4.关于负载电容CL
[例7.4.1]
7.5 共集电路的高频特性
一、 Cb′c的影响 由于共集电路集电极直接连接到电源，所以Cb′c相当于接在内基极“b′”和“地”之间，不存在共射电路中的密勒倍增效应。因为Cb′c本身很小(零点几～几pF),只要源电阻Rs及rbb′较小， Cb′c对高频响应的影响就很小。
二、C b′e的影响 这是一个跨接在输入端与输出端的电容，利用密勒定理将其等效到输入端，则密勒等效电容CM为
三、CL的影响
只要源电阻Rs较小，工作点电流ICQ?较大，则Ro可以做到很小。
所以时常数RoCL很小，fH2很高。因此说共集电路有很强的承受容性负载的能力。
7.6 共基电路的高频响应
一、C b′e的影响
由图可见，如果忽略rbb′的影响，则C b′e直接接于输入端，输入电容Ci= C b′e ，不存在密勒倍增效应，且与C b′c无关。所以，共基电路的输入电容比共射电路的小得多。而且共基电路的输入电阻Ri≈re=26mV/ICQ?，也非常小，因此，共基电路输入回路的时常数很小， fH1很高。理论分析的结果fH1≈fT。
二、C b′c及CL的影响
7.8 放大器的低频响应
|
A
u
(j
ω
)|
0.707|
A
u
Is
|
|
A
u
Is
|
＋45°
0
ω
ω
L
＋45°
0
ω
ω
L
＋90°
(
a
)
(
b
)
图5–24 阻容耦合放大器C1及CE引入的低频响应
7.9 多级放大器的频率响应

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