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恒流源电路
恒流源电路　　如图所示，稳压二极管DZ的稳定电压UZ=6 V。UZ通过集成运放A传递到电阻R2上端，于是有IO=IC IE=UZ/R2=20 mA。4.5.1　结型场效应管4.5　场效应管一、工作原理饱和电流IDSS夹断电压UGS(off)栅极电流IG 0输入阻抗很大UGS增大 导电沟道变窄 ID减小二、输出特性恒流区(|uGS| |UGS(off)|且|uDG|=|uDS-uGS|>|UGS(off)| )uGS和iD为平方率关系。预夹断导致uDS对iD的控制能力很弱。可变电阻区(|uGS| |UGS(off)|且|uDG|<|UGS(off)|)uDS的变化明显改变iD的大小。截止区(|uGS|>|UGS(off)|)iD=0三、转移特性预夹断4.5.2　绝缘栅场效应管　　绝缘栅场效应管记为MOSFET，根据结构上是否存在原始导电沟道，MOSFET又分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。一、工作原理UGS= 0ID＝0UGS>UGS(th)电场 反型层 导电沟道ID> 0UGS控制ID的大小N沟道增强型MOSFET　　N沟道耗尽型MOSFET在UGS=0时就存在ID=ID0。UGS的增大将增大ID。当UGS<0时，且|UGS|足够大时，导电沟道消失，ID=0，此时的UGS为夹断电压UGS(off)。N沟道耗尽型MOSFET二、特性曲线预夹断N沟道增强型MOSFET n为导电沟道中自由电子运动的迁移率；Cox为单位面积的栅极电容；W和L分别为导电沟道的宽度和长度，W/L为宽长比。N沟道耗尽型MOSFET［例4.5.1］判断图中场效应管的工作状态。=IDSS，UDG=UDS-UGS=UDS=UDD-IDRD= 6 (V) > -UGS(off)，所以该场效应管工作在恒流区。图(b)中是P沟道增强型MOSFET，UGS= - 5 (V) <UGS(th)，所以该场效应管工作在恒流区或可变电阻区，UDG=UDD-IDRD-UGS= 4 (V) > -UGS(th)，所以该场效应管工作在可变电阻区。解：图(a)中是N沟道JFET，UGS= 0 >UGS(off)，所以该场效应管工作在恒流区或可变电阻区，且ID

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