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晶体管的放大能力参数
共发射极直流电流放大倍数：共基极直流电流放大倍数：换算关系：晶体管的放大能力参数晶体管的极电流关系 描述： 描述：4.4.2　晶体管的伏安特性一、输出特性放大区(发射结正偏，集电结反偏)共发射极交流电流放大倍数：共基极交流电流放大倍数：近似关系：恒流输出和基调效应饱和区(发射结正偏，集电结正偏) 　饱和压降uCE(sat) 截止区(发射结反偏，集电结反偏) 极电流绝对值很小二、输入特性　　当uBE大于导通电压UBE(on)时，晶体管导通，即处于放大状态或饱和状态。这两种状态下uBE近似等于UBE(on)，所以也可以认为UBE(on)是导通的晶体管输入端固定的管压降；当uBE<UBE(on)时，晶体管进入截止状态。晶体管电流方程：4.4.3　晶体管的近似伏安特性和简化直流模型近似伏安特性简化直流模型I——放大区II——饱和区III——截止区4.4.4　直流偏置下晶体管的工作状态分析　　实际应用需要使晶体管处于放大状态、饱和状态或截止状态，从而实现不同的功能。这是通过控制发射结和集电结的正偏与反偏来实现的。　　确定直流偏置下晶体管工作状态的基本步骤：　　1．根据外电路电源极性判断发射结是正偏还是反偏。如果发射结反偏或正偏电压不到|UBE(on)|，则晶体管处于截止状态，IB、IC和IE均为零，再由外电路计算极间电压UBE、UCE和UCB；　　2．如果第1步判断发射结正偏电压达到|UBE(on)|，则晶体管处于放大状态或饱和状态，再判断集电结是正偏还是反偏。如果集电结反偏，则晶体管处于放大状态，这时UBE=UBE(on)。根据外电路和UBE(on)计算IB，接下来IC=bIB，IE=IB+IC。再由这三个极电流和外电路计算UCE和UCB；　　3．如果第2步判断集电结正偏，则晶体管处于饱和状态。这时UBE=UBE(on)，UCE=UCE(sat)，UCB=UCE-UBE，再由这三个极间电压和外电路计算IB、IC和IE。［例4.4.1］晶体管直流偏置电路如图所示，已知晶体管的UBE(on)= 0.6 V， = 50。当输入电压UI分别为0 V、3 V和5 V时，判断晶体管的工作状态，并计算输出电压UO。解：晶体管三个极电流的正方向如图中所示。当UI= 0 V时，晶体管处于截止状态，IC= 0，UO=UCC-ICRC= 12 V；当UI= 3 V时，晶体管处于放大或饱和状态，假设晶体管处于放大状态，IB= [UI-UBE(on)] /RB= 40 A，IC=bIB= 2 mA，UCB=UC-UB= (UCC-ICRC) -UBE(on)= 3.4 V > 0，所以集电结反偏，假设成立，UO=UC= 4 V；当UI= 5 V时，计算得到UCB= - 3.28 V < 0，所以晶体管处于饱和状态，UO=UCE(sat)。［例4.4.2］晶体管直流偏置电路如图所示，已知晶体管的UBE(on)= - 0.7 V， = 50。判断晶体管的工作状态，并计算IB、IC和UCE。解：图中晶体管是PNP型，UBE(on)=UB-UE= (UCC-IBRB) -IERE=UCC-IBRB- (1+b)IBRE= - 0.7 V，得到IB= - 37.4 A < 0，所以晶体管处于放大或饱和状态。IC=bIB= - 1.87 mA，UCB=UC-UB= (UCC-ICRC) - (UCC-IBRB) = - 3.74 V < 0，所以集电结反偏，晶体管处于放大状态，IB= - 37.4 A，IC= - 1.87 mA，UCE=UCB+UBE(on)= - 4.44 V。4.4.5　晶体管应用电路举例一、对数和反对数运算电路　　晶体管的电流方程图中，UO= -UBE= -UTln(IC/IS)，又IC=UI/R，所以这样就实现了对数运算。　　图中，输出电压UO=ICR= -ISRexp(-UBE/UT)，而输入电压UI= -UBE，因此从而实现了UO和UI之间的反对数(指数)运算。 二、 值测量电路　　图示电路用以测量晶体管的共发射极电流放大倍数 。因为IC=(U1-U2)/R1，IB=UO/R2，所以据此可以根据电压表的读数UO，结合预设电压U1和U2以及电阻R1和R2计算 。

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