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　PN 结的单向导电特性
　PN结的单向导电特性一、正向偏置的PN结正向偏置耗尽区变窄扩散运动加强，漂移运动减弱正向电流二、反向偏置的PN结反向偏置耗尽区变宽扩散运动减弱，漂移运动加强反向电流4.2.4　PN结的电容特性　　PN结能够存贮电荷，而且电荷的变化与外加电压的变化有关，这说明PN结具有电容效应。一、势垒电容CT0为u= 0时的CT，与PN结的结构和掺杂浓度等因素有关；UB为内建电位差；n为变容指数，取值一般在1 / 3 ~ 6之间。当反向电压u绝对值增大时，CT将减小。二、扩散电容　　PN结的结电容为势垒电容和扩散电容之和，即Cj=CT+CD。CT和CD都随外加电压的变化而改变，所以都是非线性电容。当PN结正偏时，CD远大于CT，即Cj CD；反偏的PN结中，CT远大于CD，则Cj CT。4.3　晶体二极管　　二极管可以分为硅二极管和锗二极管，简称为硅管和锗管。4.3.1　二极管的伏安特性一一指数特性IS为反向饱和电流，q为电子电量(1.60 10-19C)；UT=kT/q，称为热电压，在室温27℃即300 K时，UT= 26 mV。一、二极管的导通，截止和击穿　　当uD> 0且超过特定值UD(on)时，iD变得明显，此时认为二极管导通，UD(on)称为导通电压(死区电压)；uD< 0时，二极管是截止的；当反向电压足够大时，PN结击穿，二极管中的反向电流急剧增大，二极管被击穿。二、二极管的管压降 　　当电源电压E变化时，负载线平移到新的位置，虽然ID有比较大的变化，UD变化却不大，仍然近似等于UD(on)，所以也可以认为UD(on)是导通的二极管两端固定的管压降。三、二极管的电阻直流电阻交流电阻RD和rD随工作点的位置变化而改变4.3.2　温度对二极管伏安特性的影响T增大；Is增大，T增大10倍，Is增大一倍。减小，雪崩击穿电压增大，齐纳击穿电压减小。4.3.3　二极管的近似伏安特性和简化电路模型【例4.3.1】电路如图(a)所示，计算二极管中的电流ID。已知二极管的导通电压UD(on)= 0.6 V，交流电阻rD近似为零。解：可以判断二极管处于导通状态，将相应的电路模型代入，得到图(b)。节点A的电压UA=E-I1R1= -I2R2= -E+UD(on)= -5.4，解得I1=5.7 mA，I2=5.4 mA，于是ID=I1+I2=11.1 mA。工作电流IZ可以在IZmin到IZmax的较大范围内调节，两端的反向电压成为稳定电压UZ。IZ应大于IZmin以保证较好的稳压效果。同时，外电路必须对IZ进行限制，防止其太大使管耗过大，甚至烧坏PN结，如果稳压二极管的最大功耗为PM，则IZ应小于IZmax=PM/UZ。4.3.4　稳压二极管［例4.3.2］稳压二极管电路如图所示，稳定电压UZ= 6 V。当限流电阻R= 200 时，求工作电流IZ和输出电压UO；当R= 11 k 时，再求IZ和UO。解：当R=200 时，稳压二极管DZ处于击穿状态当R=11 k 时，DZ处于截止状态，IZ=0

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