资源简介 (共12张PPT)场效应管放大电路场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d),对应于晶体管的e、b、c;有三个工作区域:截止区、恒流区、可变电阻区,对应于三极管的截止区、放大区和饱和区。N沟结型场效应管导电沟道源极栅极漏极符号结构示意图场效应管放大电路转移特性夹断电压漏极饱和电流场效应管工作在恒流区,uGS>UGS(off)且uDS > UGS(off)为什么必须用转移特性描述uGS对iD的控制作用?N沟结型场效应管g-s电压控制d-s的等效电阻输出特性预夹断轨迹,uGD=UGS(off)可变电阻区恒流区iD几乎仅决定于uGS击穿区夹断区(截止区)夹断电压IDSSΔiD不同型号的管子UGS(off)、IDSS将不同。低频跨导:场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种?uGS>0才工作在恒流区的场效应管有哪几种?uGS<0才工作在恒流区的场效应管有哪几种?场效应管静态工作点的设置方法基本共源放大电路根据场效应管工作在恒流区的条件,在g-s、d-s间加极性合适的电源基本共源放大电路自给偏压共源放大电路ugs取值:结型N沟, ugs < 0增强型N沟, ugs > 0耗尽型, ugs < 0,= 0,> 0N沟,uds > 0栅极电阻 RG 的作用:(1)为栅偏压提供通路(2)泻放栅极积累电荷源极电阻 RS 的作用:造成负栅偏压,ugs < 0漏极电阻 RD 的作用:把 iD 的变化变为 uDS 的变化UGSQ = UGQ – USQ = – IDQRS < 0+VDDRDC2CS+++uo C1+ui RGRSGSD用于耗尽型(结型)一、直流偏置电路1. 自给偏压电路2. 分压式自偏压电路调整电阻的大小,可获得:UGSQ > 0UGSQ = 0UGSQ < 0灵活使用,包括耗尽型(结型)、增强型RG3 很大,~ 1MΩRL+VDDRDC2CS+++uo C1+ui RG2RSGSDRG1RG3图解法求解基本共源放大电路的静态工作点也可以根据直流负载线例 1 耗尽型 N 沟道 MOS 管,RG = 1 M ,RS = 2 k ,RD= 12 k ,VDD = 20 V。IDSS = 4 mA,UGS(off) = – 4 V,求 iD 和 uO 。 iG = 0 uGS = iDRSRDGDSRGRSiD+uO–+VDD–一元二次方程iD1= 4 mAiD2= 1 mAuGS = – 8 V< UGS(off)增根,放弃uGS = – 2 VuDS = VDD – iD(RS + RD) = 20 – 14 = 6 (V)uO = VDD – iD RD = 20 – 12 = 8 (V)在恒流区一元二次方程IDSS = 4 mA,UGS(off) = – 4 V 展开更多...... 收起↑ 资源预览