资源简介

(共12张PPT)
逻辑门电路
逻辑门电路
MOS逻辑门电路
TTL逻辑门电路
射极耦合逻辑门电路
砷化镓逻辑门电路
正负逻辑问题
逻辑门电路使用中的几个实际问题
用HDL描述逻辑门电路
教学基本要求：
1、了解半导体器件的开关特性。
2、熟练掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、异或门）、三态门、OD门（OC门）、传输门的逻辑功能。
3、学会门电路逻辑功能分析方法。
4、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。
3. 逻辑门电路
1 、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。
2、 逻辑门电路的分类
二极管门电路
三极管门电路
TTL门电路
MOS门电路
PMOS门
CMOS门
逻辑门电路
分立门电路
集成门电路
NMOS门
3.1.1 数字集成电路简介
各种系列逻辑电路的发展状况
MOS技术的进步
1.CMOS集成电路:
广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路
4000系列
74HC 74HCT
74VHC 74VHCT
速度慢
与TTL不兼容
抗干扰
功耗低
74LVC 74VAUC
速度加快
与TTL兼容
负载能力强
抗干扰
功耗低
速度更快
与TTL兼容
负载能力强
抗干扰
功耗低
低(超低)电压
速度更加快
与TTL兼容
负载能力强
抗干扰功耗低
74系列
74LS系列
74AS系列
速度慢
功耗大
74ALS
速度不变
功耗降低
速度提高
功耗相当
速度更加快
功耗也增加
2.TTL 集成电路:
广泛应用于中大规模集成电路
3.1.2 逻辑门电路的一般特性
1. 输入和输出的高、低电平
v
O
v
I
驱动门
G
1
负载门
G
2
1
1
输出高电平的下限值
VOH(min)
输入低电平的上限值 VIL(max)
输入高电平的下限值 VIL(min)
输出低电平的上限值
VOH(max)
0
vO /V
vI /V
高电平
低电平
不稳定区
输出
高电平
+
V
DD
V
OH
(
min
)
V
OL
(
max
)
0
G
1
门
v
O
范围
v
O
输出
低电平
输入
高电平
V
IH
(
min
)
V
IL
(
max
)
+
V
DD
0
G
2
门
v
I
范围
输入
低电平
v
I
驱动门
负载门
VNH —当前级门输出高电平的最小
值时允许负向噪声电压的最大值。
负载门输入高电平时的噪声容限：
VNL —当前级门输出低电平的最大
值时允许正向噪声电压的最大值
负载门输入低电平时的噪声容限：
2. 噪声容限
噪声容限：在保证输出电平不变的条件下，输入电平允许波动的范围。它表示门电路的抗干扰能力
VNH =VOH(min)－VIH(min)
VNL =VIL(max)－VOL(max)
1
驱动门
v
o
1
负载门
v
I
噪声
类型 参数 74HC VDD=5V 74HCT VDD=5V 74LVC VDD=3.3V 74AUC
VDD=1.8V
tPLH或tPHL(ns) 7 8 2.1 0.9
3.传输延迟时间
传输延迟时间是表征门电路开关速度
的参数，它说明门电路在输入脉冲波
形的作用下，其输出波形相对于输入
波形延迟了多长的时间。
CMOS电路传输延迟时间
t
PHL
输出
50%
90%
50%
10%
t
PLH
t
f
t
r
输入
50%
50%
10%
90%
4. 功耗
静态功耗指的是当电路没有状态转换时的功耗，即门电路空载时电源总电流ID与电源电压VDD的乘积。
对于TTL门电路来说，静态功耗是主要的。
CMOS电路的静态功耗非常低，CMOS门电路的动态功耗为 PD=FCPDVDD2
5. 延时 功耗积
是速度功耗综合性的指标.延时 功耗积，用符号DP表示 DP=TpdPD
扇入数：取决于其的输入端的个数。
6. 扇入与扇出数
1
0
1
1
1
电流方向
灌电流
IIL
IOL
IIL
…
1
n个
= nIIL
驱动门的所带负载分为灌电流负载和拉电流负载两种情况:
（a)带灌电流负载
扇出数：是指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目。

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