资源简介 (共12张PPT)特性曲线( N 沟道增强型 MOS 管)特性曲线( N 沟道增强型 MOS 管)GDS3V4V5VvGS = 6ViD /mA42643210vGS /ViD /mA43210246810vDS /V可变电阻区饱和区VTNiD开启电压VT= 2 V+-VGS+-VDS输出特性转移特性vDS = 6V截止区VGS VGS >VTN MOS管导通P 沟道增强型 MOS 管:VGS <0N 沟道增强型 MOS 管:VGS >0VGS > VTP MOS管导通VGS < VTP MOS管截止5). MOS管的开关作用开启电压VTN >0DDOHOVVv==V0OLO =VvTNIVv>+VDDRDBGDSOvIvSGDCIRONIvOvSGDCIIvOv<TNIVvRON约在1k以内,与VGS的大小有关.栅极与衬底之间存在电容CI,其容量约为几法。导通截止a)N 沟道增强型 MOS 管):b. P 沟道增强型 MOS 管-VDDRDBGDSvIvO开启电压VTP<0SGDCIOvvIsGDCIRONOvvI导通截止3.1.4 CMOS 反相器1、工作原理AL1+VDD+10VD1S1vivOTNTPD2S20V+10VvivGSNvGSPTNTPvO0 V0V-10V截止导通10 V10 V10V0V导通截止0 VVTN = 2 VVTP = - 2 V逻辑图逻辑表达式电路逻辑功能分析:1、列出电路状态表;(根据输入确定半导体器件开关状态及输出电平)2、列出真值表;3、确定逻辑 功能。vi (A)0vO(L)1逻辑真值表102. CMOS反相器的传输特性iD+VDD+vI-vOTNTPABCDEFVTNVDDVTHVTPAB 段:vI < VTN ,vO = VDD 、 iD 0, 功耗极小。0vO /VvI /VTN 截止、TP 导通,BC 段:TN 导通(可变电阻区),vO 略下降。转折电压CD 段:TN、TP 均工作在饱和区DE、EF 段:iD+VDD+vI-vOTNTPABCDEF0iD / mAvI / VVTHABCDEFVDDVTH0vO / VvI / V电压传输特性电流传输特性AB、EF 段:TN、TP总有一个为截止状态,故 iD 0 。CD 段:TN、Tp 均导通,流过两管的漏极电流达到最大值 iD = iD(max) 。阈值电压:VTH = 0.5 VDD(VDD = 3 ~ 18 V)2. CMOS反相器的特点当 I=VDD时SGPV≈VDD当 I=0V时1、静态功耗极小(微瓦数量级) :T1和T2总有一个是关断的,而且内阻极高。+VDD+10VD1S1vivOTNTPD2S20V+10VGSNV≈0OiDvOiDO工作点vOSGNV≈VDDSGPV≈0工作点2、CMOS反相器的工作速度在由于电路具有互补对称的性质,它的开通时间与关闭时间是相等的。平均延迟时间:10 ns。带电容负载输出从低电平跳变为高电平输出从高电平跳变为低电平3.1.3 其他CMOS门电路A BTN1 TP1 TN2 TP2L0 00 11 01 1截止导通截止导通导通导通导通截止截止导通截止截止截止截止导通导通1110与非门1、CMOS 与非门vA+VDD+10VTP1TN1TP2TN2ABLvBvLAB&00100111Y =如N个NMOS 管串联 (a)电路结构(b)工作原理2. CMOS 与门+VDDVSSTP1TN1TP2TN2ABY+VDDG1D1S1TNTPD2S2G2VSSAB&L1AB&L或非门3、CMOS 或非门+VDD+10VTP1TN1TN2TP2ABLA BTN1 TP1 TN2 TP2L0 00 11 01 1截止导通截止导通导通导通导通截止截止导通截止截止截止截止导通导通1000AB≥100100111如N个PMOS 管串联 展开更多...... 收起↑ 资源预览