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(共12张PPT)
MOS管的四种类型
MOS管的四种类型
增强型
耗尽型
大量正离子
导电沟道
等效电路
OFF ，截止状态 ON，导通状态
CMOS反相器的电路结构和工作原理
一、电路结构
T1：P沟道增强型
T2：N沟道增强型
TN、TP参数对称：
Y=A’
无论V1是高电平还是低电平，T1T2总是工作在一个导通而另一个截止状态，即所谓互补状态。
CMOS：互补对称式金属氧化物半导体电路
无论V1是高电平还是低电平，T1T2一个是截止状态，流过T1T2的静态电流极小，因而CMOS反相器的静态功耗极小，这也是其一大优点
电压、电流传输特性
输入噪声容限
结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限
CMOS 反相器的静态输入和输出特性
输入特性
由于电流流过RS，所以呈现线性状态
输出特性
og
od
SiO2
绝缘层
N
-OB
P(衬底)
os
B
N沟道
P沟道
(a)
(b)
A#
反型层
OB
耗尽层
P
os
B
耗尽型N沟道管
耗尽型P沟道管
(a)
(b)
D
D
G
G
(a)
(b)
VDD
ID
VI
Vo
y
T
U)0
A
VDD
B
V
V
GS(th)P
GS(th)N
0
VDD
VDD
VI
2
VGS(D)N
V
GS(th)P
A
O
VDD
VI
2
vo
输出
H(min)
V
1输入
VI
V
NH
V
H(min)
V
L(max)
0
入
0输出
输
OL(max)
vo /V
15
VDD=15V
10
VDD=10V
5
NH
0
5
10
15
1/V
VNH:VNL/V
18F
15
NH
12
VDD-0.05V
9
0.7VDp
6
0.3VDD
3
V
Vss+0.05V
0
369121518
VoD/V
输入保护电路
输入保护电路
太D
D
T
Rs
Rs
UI
W
vo
T
D本
(a)
(b)
-0.7V
-0.7V
VDD+0.7V vI
VDD+0.7V
Vi
(a)
(b)
YDD
R
OL
KH =YDD
V oL
VDD=5V
10V
15V
0
JoL
iD
5V
4V
3V
UGs=2V
O
UDS

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