资源简介

【课题】
11.2 三极管
【教学目标】
1．知道三极管结构与符号。
2．三极管的放大作用。
【教学重点】
1．三极管结构与符号。
2．三极管的放大作用。
【教学难点】
三极管的放大作用。
【教学过程】
【一、复习】
1．二极管的正向偏置和反向偏置的不同表现。
2．基尔霍夫电流定律。
【二、引入新课】
三极管的分类：按材料分有硅三极管和锗三极管；按结构类型分有NPN型和PNP型。
【三、讲授新课】
11.2.1　三极管的外形、结构和符号
三极管的外形、内部结构示意图和符号如图11.6所示。
（a）外形
（b）NPN管结构和符号 （c）PNP管结构和符号
图11.6　三极管
NPN型三极管发射极电极（符号箭头向外）形象地指出发射极电流的流动方向是由管内流向管外，而基极电流和集电极电流是流入管内的；PNP型三极管的情况正好相反（符号箭头向内），电流由发射极流入，由集电极和基极流出。
11.2.2　三极管的放大作用
三极管放大作用可按图11.7连接电路。发射极作为公共端接地，并选取UCC > UBB。
在基极回路电源UBB作用下，发射结正向偏置（即基极电位高于发射极电位）。
在集电极回路电源UCC作用下，集电结反向偏置（即集电极电位高于基极电位）。
图11.7　三极管的放大作用
调节电阻RB，观察基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE。
（1）IB变化（增大或减少），IC和IE都会随之相应的变化（增大或减少）。
（2）IE IB + IC = ( 1+ )IB ，且IC >>IB 。
（3）IC和IE的比值基本为一常数，称为三极管的电流放大系数，用字母β表示。
= 或 IC = IB
（4）发射结电压在0.5 V以下时，ICIE0，这种情况下三极管处于截止状态。
（5）基极电流IB增加到一定数值时，就会发现集电极电流IC不随基极电流IB增大而增大。这种情况下三极管处于饱和状态。
就其本质而言，三极管的“放大”是一种控制，是以较小的电流IB控制较大的电流IC。
11.2.3　三极管的主要参数
1．电流放大系数（ ）是表征三极管电流放大能力的参数。通常以100左右为宜。
2．集电极最大允许电流（ICM）是指当三极管集电极电流超过ICM时，三极管的参数将会明显变化。
3．集电极最大允许耗散功率（PCM）是指为了限制集电结温升不超过允许值而规定的最大值，该值除了与集电极电流有关外，还与集电极和发射极之间的电压有关。
4．集电极、发射极之间反向击穿电压（U（BR）CEO）是指三极管基极开路时，集电极和发射极之间能够承受的最大电压。
【四、小结】
1．三极管是由两个PN结构成的，所以就有NPN型管和PNP型管之分。所以外加电压极性和电流方向都相反。
2．三极管要具有放大作用，就必须满足其外部条件，即发射结正向偏置，集电结反向偏置，这一条是组成放大电路的基本原则。
3．三极管放大时电流分配的关系式：IE = IC +IB =（1+ ）IB
4．β称为三极管的电流放大系数：IC = IB
5．三极管的主要参数其物理意义是：——反映电流放大能力；ICM——对三极管集电极电流的限制；U（BR）CEO——三极管集电极和发射极之间能够承受最大电压的限制等。
【五、习题】
一、是非题：3、4；二、选择题：2；三、填空题：3、4。

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