资源简介

项目十 场效晶体管的识别与检测
【项目目标】
●识别场效晶体管的外形和符号，识别场效晶体管的引脚。
●会用万用表检测场效晶体管，判断场效晶体管的质量。
【参考学时】
4学时
任务1 识别场效晶体管
【教学目标】
●会识别场效晶体管的外形和符号，知道场效晶体管的分类与特点。
●能通过外观识别场效晶体管。
【教学重点】
场效晶体管识别
【教学难点】
场效晶体管识别
【参考学时】
2学时
【教学过程】
一、任务导入
实物（如常用电器电路板）演示及列举实例，让学生认识场效晶体管，激发学生学习兴趣。
二、任务准备
1.场效晶体管的基本知识
场效晶体管（FET）是场效应晶体管的简称，它是一种电压控制型半导体器件，特别适用于高灵敏度、低噪声电路中。
2.场效晶体管的分类
按结构分：结型场效晶体管（JFET）、绝缘栅型场效晶体管（IGFET）
按沟道材料和绝缘栅分：N沟道、P沟道
按导电方式分：耗尽型、增强型
三、任务实施
1.认识常见场效晶体管的图形符号和外形
（1）结型场效晶体管的结构和符号。与三极管一样，场效晶体管也是由P型半导体和N型半导体组成。
结型场效晶体管可分为P沟道和N沟道两种，两种结型场效晶体管的结构示意图和符号如图所示。
（a）结构 （b）符号 （a）结构 （b）符号
N沟道结型场效晶体管 沟道结型场效晶体管
（2）绝缘栅型场效晶体管的结构和符号。绝缘栅场效晶体管简称MOS管，MOS管分为增强型和耗尽型，每种又分为N沟道和P沟道。
①增强型MOS管
（a）NMOS管 （b）PMO管S
增强型MOS管的图形符号
②耗尽型MOS管
（a）NMOS管 （b）PMOS
耗尽型MOS管的图形符号
常见的场效晶体管的实物如图所示。
场效晶体管实物图
2.识别场效晶体引脚
场效晶体管有三个电极，分别是栅极G、源极S和漏极D。场效晶体管可看做是一只普通三极管，栅极G对应基极b，漏极D对应集电极c，源极S对应发射极e；N沟道对应NPN型三极管，P沟道对应PNP型三极管。
（1）大功率场效晶体管
大功率场效晶体管引脚识别
（2）小功率金属封装（如SDJ6）的场效晶体管
小功率金属封闭场效晶体管引脚识别
四、任务小结
五、任务拓展
1.场效晶体管的文字符号、命名方法
（1）第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效晶体管，O代表绝缘栅场效晶体管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
（2）第二种命名方法是CS××#，CS代表场效晶体管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。如CS14A、CS45G等。
2.场效晶体管的主要参数
（1）直流参数。
①开启电压VGS(th)
②夹断电压VGS(off)
③饱和漏极电流IDSS
④直流输入电阻RGS
（2）交流参数。
①低频跨导gm
②最高工作频率fM
（3）极限参数。
①漏极最大允许耗散功率
②漏极击穿电压V（BR）DS
2.场效晶体管的作用
（1）场效晶体管可应用于放大
（2）场效晶体管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换
（3）场效晶体管可以用作可变电阻
（4）场效晶体管可以方便地用作恒流源
（5）场效晶体管可以用作电子开关
3.场效晶体管与晶体管在电气特性方面的主要区别
（1）场效晶体管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。
（2）场效晶体管漏源静态伏安特性以栅极电压VGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib为参变量。
（3）场效晶体管电流IDS与栅极VGS之间的关系由跨导gm决定，晶体管电流Ic与Ib之间的关系由放大系数β决定。
（4）场效晶体管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
（5）一般场效晶体管功率较小，晶体管功率较大。

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