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第4章 分立半导体器件识别与检测
4.1 晶体二极管
4.2 晶体三极管
4.3 半导体分立器件的命名方法
4.4 晶闸管整流元件与场效应晶体管
4.5 晶体二极管识别检测技能实训
4.6 晶体三极管的识别检测实训
4.7 晶体场效应管与晶闸管的识别检测实训
4.2 晶体三极管
4.2.1 晶体管的基础知识与分类
1．晶体管的基础知识
晶体管，也称半导体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和其他信号处理方面。
2．晶体管的分类
（1）按材质不同可分为：硅管、锗管。
（2）按结构不同可分为：NPN型和PNP型。
（3）按晶体管消耗功率的不同可分为：小功率管、中功率管和大功率管等。
（4）按功能不同可分为：开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。
（5）按工作频率不同可分为：低频晶体管、高频晶体管。
（6）按安装方式不同可分为：插件晶体管、贴片晶体管。
（7）按封装形式不同可分为：金属封装、塑料封装。
4.2.2 片式晶体管
片式晶体管采用带有翼形短引线的塑料封装，即SOT封装。
4.2.3 晶体管的主要参数
1．直流参数
（1）集电极—基极反向饱和电流ICBO
集电极—基极反向饱和电流是指发射极开路时，基极和集电极之间加上规定的反向电压UCB时的集电极反向电流。
（2）集电极—发射极反向电流ICEO
集电极—发射极反向电流也称穿透电流，是指基极开路时，集电极和发射极之间加上规定电压VCE时的集电极电流。
（3）发射极—基极反向电流IEBO
发射极—基极反向电流是指集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
（4）直流电流放大系数（或hFE）
直流电流放大系数是指采用共发射极接法，没有交流信号输入时，集电极的直流电流与基极的直流电流的比值。
2．交流参数
（1）交流电流放大系数β（或hFE）
交流电流放大系数是指采用共发射极接法时，集电极输出电流的变化量ΔIC与基极输入电流的变化量ΔIB之比。
（2）截止频率fβ、fα
晶体管的频率参数描述晶体管的电流放大系数对高频信号的适应能力。根据fβ的定义，所谓共射截止频率，并非说明此时晶体管已经完全失去放大作用，而只是共射电流放大系数的幅频特性下降了3dB。
（3）特征频率因为信号频率 上升时，晶体管的β就下降，当β下降到1时，所对应的信号频率称为共发射极特征频率，是表征晶体管高频特性的重要参数。
3．极限参数
（1）集电极最大允许电流ICM
集电极最大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极最大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。
（2）集电极—基极击穿电压U（BR）CBO
集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。
（3）发射极—基极反向击穿电压U（BR）EBO
发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。
（4）集电极—发射极击穿电压U（BR）CEO
集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果UCE＞U（BR）CEO，管子就会被击穿。
（5）集电极最大允许耗散功率PCM
集电极最大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率。
4.2.4 几种常见的晶体三极管
1．中小功率晶体三极管
中小功率晶体三极管通常是指管子集电极耗散功率PCM小于1W的晶体管。
2．大功率晶体三极管
大功率晶体三极管是指管子集电极耗散功率PCM大于1W的晶体管。
3．达林顿管
达林顿管是一种复合管，它采用复合连接方式，将两只或更多只的晶体管集电极连在一起，并将前一只晶体管的发射极直接耦合到一只晶体管的基极，依次级联而成，最后引出E、B、C三个电极。
4．光敏三极管
光敏三极管与普通晶体管结构相同，其工作原理与光敏二极管相似。
4.2.5 晶体三极管的选用
1．一般晶体三极管的选用
（1）根据具体电路要求，选用不同类型晶体三极管。
（2）根据晶体管的主要参数进行选用。
（3）选用合适的外形尺寸和封装形式。
（4）硅管与锗管的具体选用方法。

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