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§1-2 二 极 管
目的与要求
1. 了解半导体二极管的结构
2. 掌握半导体二极管的符号
3. 理解半导体二极管的伏安特性
4. 知道二极管的主要参数
重点与难点
重点 1. 二极管的符号
2. 二极管的伏安特性
难点 二极管的伏安特性
教学方法
讲授法,列举法,启发法
教具
二极管,三角尺
小结
外加正向电压较小时，外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处于截止状态 。
正向电压大于死区电压后，正向电流 随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。当反向电压的值增大到UBR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。
布置作业
§1-2 二 极 管
一、半导体二极管的结构
二极管的定义：一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。
二极管按半导体材料的不同可以分为硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等。
二极管按其结构不同可分为点接触型、面接触型和平面型二极管三类。
点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。
面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在低频整流电路中。
平面型二极管PN结面积有大有小。
图1.11 二极管的符号
简单介绍常见的二极管的外型
了解国产二极管的型号的命名方法。
二、半导体二极管的伏安特性
1、正向特性
外加正向电压较小时，外电场不足以克服内电场对多子扩散的阻力，PN结仍处于截止状态 。
正向电压大于死区电压后，正向电流 随着正向电压增大迅速上升。通常死区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。
图1.13 二极管的伏安特性曲线
2、反向特性
二极管外加反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性。由图1.13可见，二极管外加反向电压时，反向电流很小（I≈-IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流
从图1.13可见，当反向电压的值增大到UBR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。利用二极管的反向击穿特性，可以做成稳压二极管，但一般的二极管不允许工作在反向击穿区。
补充：二极管的温度特性
二极管是对温度非常敏感的器件。实验表明，随温度升高，二极管的正向压降会减小，正向伏安特性左移，即二极管的正向压降具有负的温度系数（约为-2mV/℃）；温度升高，反向饱和电流会增大，反向伏安特性下移，温度每升高10℃，反向电流大约增加一倍。
三、 二极管的主要参数
（1）最大整流电流IF
最大整流电流IF是指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向电流的平均值。
（2）反向击穿电压UBR
反向击穿电压是指二极管击穿时的电压值。
（3）反向饱和电流IS
它是指管子没有击穿时的反向电流值。其值愈小，说明二极管的单向导电性愈好。
另外
（4）反向击穿电压UB：指管子反向击穿时的电压值。
（5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。
理想二极管：正向电阻为零，正向导通时为短路特性，正向压降忽略不计；反向电阻为无穷大，反向截止时为开路特性，反向漏电流忽略不计。
四、二极管极性的判定
将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻值很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管正极，红表笔所接电极为二极管的负极；若测得的阻值很大（几百千欧以上），则黑表笔所接电极为二极管负极，红表笔所接电极为二极管的正极。
五、二极管好坏的判定
（1）若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电阻很小（几千欧以下），表明二极管性能良好。
（2）若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明二极管短路，已损坏。
（3）若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二极管断路，已损坏。
补充：特殊二极管
1.稳压二极管
2.发光二极管LED
3.光电二极管
4.变容二极管
5.激光二极管

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